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TN30 一般性問題
TN301 基礎理論
TN301.1 半導體物理
TN301.2 半導體化學
TN302 設計與計算
TN303 結構、器件
TN304 材料
TN304.0 一般性問題
TN304.1 元素半導體
TN304.2 化合物半導體
TN304.3 稀土半導體
TN304.5 有機半導體
TN304.6 離子晶體
TN304.7 磁性半導體、磁阻半導體
TN304.8 非晶態半導體
TN304.9 其他半導體材料
TN305 半導體器件制造工藝及設備
TN305.1 晶體機械加工
TN305.2 表面處理
TN305.3 摻雜
TN305.4 擴散
TN305.5 氧化層生長
TN305.6 制版
TN305.7 光刻、掩膜
TN305.8 真空鍍膜
TN305.92 濺射
TN305.93 裝架
TN305.94 封裝及散熱問題
TN305.95 隔離技術
TN305.96 引線技術
TN305.97 潔凈技術
TN305.99 其他
TN306 可靠性及例行試驗
TN307 測量和檢驗
TN31 半導體二極管
TN311 二極管：按工藝分
TN311+.1 面接觸二極管
TN311+.2 合金二極管
TN311+.3 擴散二極管
TN311+.4 電化學二極管
TN311+.5 薄膜二極管
TN311+.6 互補二極管
TN311+.7 熱載流子二極管
TN311+.8 金屬-半導體二極管
TN312 二極管：按結構和性能分
TN312+.1 變容二極管
TN312+.2 隧道二極管
TN312+.3 反向二極管
TN312+.4 PIN二極管
TN312+.5 磁性二極管
TN312+.6 雙基極二極管
TN312+.7 雪崩二極管
TN312+.8 發光二極管
TN313 二極管：按作用分
TN313+.1 高壓二極管
TN313+.2 負阻二極管
TN313+.3 穩壓二極管
TN313+.4 功率二極管
TN313+.5 整流二極管
TN313+.6 開關二極管
TN313+.7 電荷貯存二極管（階躍恢復二極管）
TN313+.8 微波混頻及檢波二極管
TN314 二極管：按形式分
TN314+.1 臺面型二極管
TN314+.2 平面型二極管
TN314+.3 外延式二極管
TN315 二極管：按材料分
TN315+.1 鍺二極管
TN315+.2 硅二極管
TN315+.3 砷化鎵二極管
TN32 半導體三極管（晶體管）
TN321 晶體管：按工藝分
TN321+.1 面接觸晶體管
TN321+.2 合金晶體管
TN321+.3 擴散晶體管
TN321+.4 電化學晶體管
TN321+.5 薄膜晶體管
TN321+.6 互補晶體管
TN322 晶體管：按性能分
TN322+.1 本征勢壘晶體管
TN322+.2 漂移晶體管
TN322+.3 復合晶體管
TN322+.4 負荷晶體管、電荷晶體管
TN322+.5 磁性晶體管
TN322+.6 低噪聲晶體管
TN322+.7 微功耗晶體管
TN322+.8 雙極性晶體管
TN323 晶體管：按作用分
TN323+.1 低頻晶體管
TN323+.2 高頻晶體管
TN323+.4 功率晶體管
TN323+.6 開關晶體管
TN323+.7 模擬晶體管
TN323+.8 高反壓晶體管
TN324 晶體管：按形式分
TN324+.1 臺面型晶體管
TN324+.2 平面型晶體管
TN324+.3 外延型晶體管
TN324+.4 覆蓋式晶體管、梳狀（網狀）晶體管
TN325 晶體管：按材料分
TN325+.1 鍺晶體管
TN325+.2 硅晶體管
TN325+.3 化合物晶體管、砷化鎵晶體管
TN335 PNPN四層結構器件
TN34 晶閘管（可控硅）
TN341 可控硅原理和設計
TN342 可控硅器件
TN342+.2 單向可控硅
TN342+.3 雙向可控硅
TN342+.4 可關斷可控硅
TN342+.5 雪崩型可控硅
TN342+.6 高速可控硅
TN342+.7 光控可控硅
TN344 控制線路
TN345 參數及測量
TN345+.1 額定正向平均電流及其測量
TN345+.2 正向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.3 反向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.4 控制極觸發電壓及其測量
TN345+.5 控制極觸發電流及其測量
TN349 可控硅的應用
TN35 半導體整流器
TN351 氧化亞銅整流器
TN352 硒整流器
TN353 鍺整流器
TN354 砷化鎵整流器
TN355 氧化物整流器
TN356 硫化物整流器
TN357 光控整流器
TN358 電導調制整流器
TN359.1 相敏整流器
TN359.2 整流堆
TN36 半導體光電器件
TN361 光敏電阻
TN362 紅外線探測器件
TN364 半導體光電管
TN364+.1 硅光電管
TN364+.2 半導體光電二極管
TN364+.3 光電晶體管
TN364+.4 微分半導體光電管
TN365 半導體激光器件
TN366 光轉換器
TN37 半導體熱電器件、熱敏電阻
TN371 通用熱敏電阻
TN372 高溫、低溫熱敏電阻
TN373 正溫度系數熱敏電阻
TN374 高頻、低頻熱敏電阻
TN375 玻璃態熱敏電阻
TN376 熱敏電阻熱輻射探測器
TN377 溫差電器件
TN379 敏感器件
TN382 霍爾器件、光磁電探測器件
TN382+.1 霍爾回旋器
TN382+.2 霍爾阻隔器
TN382+.3 霍爾環形器
TN383 發光器件
TN383+.1 場致發光器件、電致發光器件
TN383+.2 光致發光器件
TN383+.3 高能粒子輻射發光器件
TN383+.4 陰極發光器件
TN383+.5 熱致發光器件
TN384 鐵電及壓電器件
TN385 微波半導體器件
TN386 場效應器件
TN386.1 金屬-氧化物-半導體（MOS）器件
TN386.2 絕緣柵場效應器件
TN386.3 肖特基勢壘柵場效應器件
TN386.4 硅柵器件
TN386.5 電荷耦合器件
TN386.6 結型場效應晶體管
TN386.7 靜電感應場效應晶體管
TN387 體效應器件
TN387.1 甘氏效應器件、甘氏二極管
TN387.2 限壘二極管
TN387.3 碰撞雪崩渡越時間器件
TN387.4 奧氏器件、玻璃半導體器件
TN387.5 混合模式器件
TN389 其他器件
共
615
筆商品，
28
/31頁
滿額折
541.
真空鍍膜設備（簡體書）
作者：
張以忱
出版社：
冶金工業出版社
出版日：
2009/08/01
裝訂：
平裝
本書詳細介紹了真空鍍膜設備的設計方法與鍍膜設備各機構元件的設計計算、設計參數的選擇，其中重點、系統地介紹了磁控濺射靶的設計計算和濺射鍍膜的膜厚均勻性設計。全書共分13章，主要講解真空鍍膜室結構、鍍膜室工件架、真空鍍膜機的加熱與測溫裝置、真空鍍膜機的抽氣系統、真空室電和運動的導入結構、濺射鍍膜設備的充布氣系統、蒸發源、磁控濺射靶、濺射鍍膜的膜厚均勻性等方面的設計與計算。 本書有很強的實用性，適合真
定價：156 元，
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542.
半導體矽材料基礎（簡體書）
作者：
尹建華
;
李志偉
出版社：
化學工業出版社
出版日：
2009/07/01
裝訂：
平裝
本書系統地介紹了半導體硅材料的基本性質、與半導體晶體材料相關的晶體幾何學、能帶理論、微電子學方面的基礎理論知識，系統地介紹了作為光伏技術應用的硅材料的制備基礎理論知識，為系統學習多晶硅生產技術和單晶硅及硅片加工技術奠定理論基礎，是硅材料技術專業的核心教材。 本書可作為高職高專硅材料技術及光伏專業的教材，同時也可作為中專、技校和從事單晶硅生產的企業員工的培訓教材，還可供相關專業工程技術人員學習參考。
定價：174 元，
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543.
直拉單晶矽工藝技術（簡體書）
作者：
黃有志
;
王麗
出版社：
化學工業出版社
出版日：
2009/07/01
裝訂：
平裝
本書共8章，包括：單晶硅的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準備、直拉單晶硅生長技術、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術等內容。 本書可作為高職高專太陽能光伏產業硅材料技術專業的教材，同時也可作為中專、技校和從事單晶硅生產的企業員工的培訓教材，還可供相關專業工程技術人員學習參考。
定價：150 元，
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544.
半導體器件完全指南（簡體書）
作者：
(美)伍國玨
出版社：
科學出版社
出版日：
2009/07/01
裝訂：
平裝
本書全面介紹了從第一只電阻器出現至今的200多種半導體器件，并對每種器件的背景知識、結構、原理及應用做了完整的概述。器件類型不僅包括早期或已淘汰的器件，更包括新近的量子器件；不僅包括通用器件，還包括專用器件等。并且在附錄中收錄了一些最基本的器件物理知識。本書的編排可以讓廣大讀者快速了解各類半導體器件，同時也可就某一類器件展開深入的學習與研究。本書具有如下特點：收錄最全；反映最新器件研究水平；編排獨
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545.
雙色圖文詳解二極體及應用電路（簡體書）
作者：
胡斌
出版社：
人民郵電出版社
出版日：
2009/07/01
裝訂：
平裝
本書的核心內容是二極管類元器件的基礎知識和典型應用電路。本書首先介紹了電子技術的學習方法和電子元器件知識的學習重點，然后詳細地介紹了常用二極管的基礎知識和應用電路，最后介紹了二極管類元器件的檢測和選配方法。 本書形式新穎，內容豐富，分析透徹，適合零起點的電子愛好者、電子技術產業工人、大中專院校相關專業學生閱讀和參考。
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546.
IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性（簡體書）
作者：
(日)SADAO ADACHI
出版社：
科學出版社
出版日：
2009/07/01
裝訂：
平裝
以硅為基礎的微電子技術在信息技術中仍占據著重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半導體材料因具有高的載流子遷移率和大的禁帶寬度而在發光器件、高速器件、高溫器件、高頻器件、大功率器件等方面得到越來越廣泛的應用。可以預見，光電集成或光子器件所用的材料將大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半導體材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半導體材料的數據資料比較零亂，缺少一本把這些材
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547.
半導體器件物理(簡體書)
作者：
顧曉清
出版社：
機械工業出版社
出版日：
2009/07/01
裝訂：
平裝
本書融合了半導體物理和晶體管原理兩部分的內容。考慮到對高職學生的教育要求，本書在編寫時盡量減少理論推導，用通俗易懂的語言來闡述半導體物理的基本知識和晶體管的基本原理。全書共分10章，第1章介紹半導體物理的基本知識，第2章闡述P-N結的特性，第3到6章講述晶體管的直流特性、交流特性、開關特性和高頻大功率晶體管的設計，第7到第10章講述MOS器件的相關內容。每章均有與教學內容相結合的適量習題。本書可作
到貨時通知我
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548.
低維半導體複合結構的光學性質（簡體書）
作者：
金華
出版社：
吉林大學出版社
出版日：
2009/06/01
裝訂：
平裝
《低維半導體復合結構的光學性質(低維半導體物理和超快光譜技術研究參考必備手冊)》介紹了Ⅱ-Ⅵ族低維半導體復合結構中的載流子動力學過程及其光學性質，并對Ⅱ-Ⅵ族低維量子體系中材料的表征、穩態和瞬態光譜測量技術、物理特性和應用方面進行較為系統地介紹。主要內容包括低維半導體的基本性質，低維結構中的光學測量方法，znTe基復合量子阱中的載流子行為和znse基量子阱／量子點復合結構中的激子行為。《低維半導體
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549.
共振隧穿器件及其應用（簡體書）
作者：
郭維廉
出版社：
科學出版社
出版日：
2009/06/01
裝訂：
平裝
本書是一本全面、系統地講述共振隧穿器件及其應用的著作。全書共10章，第1～3章為共振隧穿二極管的物理基礎、器件模型和模擬以及器件設計、制造與參數測量；第4～6章為各種類型的共振隧穿二極管、晶體管以及共振隧穿型光電器件；第7～9章為共振隧穿器件在模擬電路、數字電路和光電集成中的應用；第10章論述了共振隧穿器件及其應用的發展趨勢。 本書可作為微電子專業本科生或研究生選修課程的教材或主要參考書，也可供從
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550.
晶閘管換流閥（簡體書）
作者：
劉澤洪
出版社：
中國電力出版社
出版日：
2009/05/01
裝訂：
平裝
特高壓直流輸電是實施我國“西電東送”戰略的重要措施。國家電網公司特高壓建設部策劃組織國網直流工程建設有限公司監造代表處編寫了《特高壓直流輸電工程換流站主設備監造手冊》（簡稱《手冊》），以向家壩－上海±800kV特高壓直流輸電示范工程（簡稱向上直流工程）設備制造為依托，用以指導特高壓直流設備的現場監造。 《手冊》包括《換流變壓器和平波電抗器》、《晶閘管換流閥》、《直流控制保護系統》三個分冊。本書為《
定價：156 元，
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551.
LED照明技術與應用電路（簡體書）
作者：
周志敏
出版社：
電子工業出版社
出版日：
2009/05/01
裝訂：
平裝
本書結合我國綠色照明工程計畫，以LED照明技術和LED照明實用電路為本書的核心內容，結合目前國內外LED技術發展動態，全面系統地闡述了照明基礎知識、LED固體照明技術、大功率LED驅動電路、大功率LED應用電路、LED照明的工程應用技術等內容。本書題材新穎實用、內容豐富、深入淺出、文字通俗，具有很高的實用價值。 本書可供電信、資訊、航太、汽車、國防及家電等領域從事LED照明研發、設計、應用的工程技
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552.
化合物半導體器件（簡體書）
作者：
呂紅亮
出版社：
電子工業出版社
出版日：
2009/05/01
裝訂：
平裝
《化合物半導體器件》介紹了化合物半導體物理的基礎知識和原理。全書共8章，主要內容為：半導體器件物理的基礎內容、化合物半導體材料及其基本電學特性；化合物半導體器件的種類及其特性，包括雙極型器件、異質結器件、場效應器件、量子效應、熱電子器件和光電子器件；寬禁帶半導體材料與器件。
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553.
納米半導體（簡體書）
作者：
馬洪磊
出版社：
國防工業出版社
出版日：
2009/04/01
裝訂：
平裝
納米半導體具有許多常規半導體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在諸多領域具有空前的應用前景。全書共11章，全面系統地闡述了納米半導體的基本概念、制備技術和十種典型納米半導體的結構、形貌、組分、電子結構、光電特性、磁學性質、場發射特性及其應用。 本書可作為大專院校凝聚態物理、微電子學與固體電子學、材料物理與化學等相關專業的研究生教材或參考書，也可供從事納米半導體教學、科研、開發的教師、科學研究人員
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554.
功率晶體管原理（簡體書）
作者：
萬積慶
出版社：
湖南大學出版社
出版日：
2009/03/01
裝訂：
平裝
本書首先介紹Si和SiC材料的基本物理特性、PN結的終端造型技術，并討論肖特基二極管、PIN整流二極管、功率晶體管的基本結構與特徵參數；然后深入討論功率MOSFET和IGBT的元胞結構、阻斷特性、正向導通特性、開關特性及其基礎工藝。本書可以作微電子技術與微電子學、電子科學與電子技術、電力電子技術專業本科生教材或教學參考書。
定價：258 元，
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555.
半導體製造與過程控制基礎（簡體書）
作者：
(美)梅
出版社：
機械工業出版社
出版日：
2009/01/01
裝訂：
平裝
本書詳細地研究并闡述了在高產量制造環境中，電子材料和供料轉換為完善的集成電路和電子產品的過程和方法。本書討論與微電子器件和電路的工業水平制造相關的問題，包括（但不限于）制造、過程控制、試驗設計、過程建模、產出建模和CIM（計算機集成制造）／CAM（計算機輔助制造）系統。本書包括對基本制造概念理論和實踐的描述，以及一些案例分析、典型問題和建議的練習。 本書可作為相關專業研究生的教材，也可在半導
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556.
可重入製造系統的控制（簡體書）
作者：
張潔
出版社：
科學出版社
出版日：
2009/01/01
裝訂：
平裝
本書主要從可重入制造系統的控制體系結構、控制方法和控制性能分析方法等角度對可重入制造系統控制問題進行介紹。重點介紹可重入制造系統的分層自適應控制體系結構、分層協同控制技術、重調度控制技術、預測控制系統控制的實驗證平臺和在企業車間的信息化系統進行介紹。實例驗證表明，本書提出的方法和技術可能效減少晶圓在制品庫存，縮短晶圓產品交貨期，提高半導體生產線的整體設備利用率，提高半導體企業的市場響應速度。 本
定價：330 元，
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557.
氧化鋅半導體材料摻雜技術與應用（簡體書）
作者：
葉志鎮
出版社：
浙江大學出版社
出版日：
2009/01/01
裝訂：
平裝
本書介紹了氧化鋅(ZnO)的摻雜技術、性能及其應用。全書共分七章，第一章概述了ZnO的結構、基本性質與制備方法，第二章介紹了ZnO的本征缺陷和非故意摻雜，第三至第六章分別介紹了ZnO的n型摻雜、p型摻雜、合金摻雜、稀磁摻雜等各種摻雜技術及其應用，第七章闡述了ZnO半導體器件的相關研究。本書在內容上寬度和深度相結合，系統介紹了ZnO的基本知識，同時對ZnO研究的熱點領域進行了詳細而深入的探討。本書理
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558.
TFT LCD面板的驅動與設計（簡體書）
作者：
戴亞翔
出版社：
清華大學出版社(大陸)
出版日：
2008/11/01
裝訂：
平裝
本書是中國臺灣作者為臺灣五南文化事業出版公司編寫的科技參考書，考慮到本書涉及的內容對祖國內地該領域的發展有很高的參考價值，特別是對高校師生有學習參考價值，為此，我社將該書修訂出版并收錄到“新材料及在高技術中的應用叢書”中。本書是有關TFT LCD技術參考書，介紹了TFT LCD的基本知識、操作原理及設計時的實際應用，TFT LCD面板的驅動，TFT LCD面板的設計實例，還探討了TFT LCD的未
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559.
與時俱進的電力電子（簡體書）
作者：
張為佐
出版社：
機械工業出版社
出版日：
2008/10/01
裝訂：
精裝
張為佐先生是我國著名的電力電子技術和功率半導體專家，長期從事功率半導體器件的研究開發工作，是我國功率半導體器件的開拓者和創始人之一。本書是張為佐先生近三十年的講稿的整理。書中論述了世界功率半導體器件的歷史進程、發展趨勢和發達國家發展動態，尤其在全球經濟一體化浪潮猛烈沖擊、新經濟理念不斷深人、高新技術發展非常迅速、國際競爭異常激烈的年代，本書中提供的信息和論點，對思考我國電力電子技術和功率半導體器件
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滿額折
560.
半導體薄膜技術與物理(簡體書)
作者：
葉志鎮
;
呂建國
;
呂斌
;
張銀珠
出版社：
浙江大學出版社
出版日：
2008/09/01
裝訂：
平裝
本書共分十章，以葉志鎮教授“半導體薄膜技術物理”講義為基礎編撰而成。第一章敘述了真空技術的基本知識；第二章至第八章是本書的核心內容，結合各種半導體材料，詳細介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相沉積和濕化學合成等半導體薄膜技術與物理；第九章介紹了超晶格的相關知識，超晶格、量子阱是現代新型半導體器件的基礎和關鍵；第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術，包括發光二極管、薄膜晶
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