IV族、III-V和II-VI族半導體材料的特性（簡體書）

以硅為基礎的微電子技術在信息技術中仍占據著重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半導體材料因具有高的載流子遷移率和大的禁帶寬度而在發光器件、高速器件、高溫器件、高頻器件、大功率器件等方面得到越來越廣泛的應用。可以預見，光電集成或光子器件所用的材料將大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半導體材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半導體材料的數據資料比較零亂，缺少一本把這些材料的特性參數匯集到一起的專著。
本書對常見半導體材料的晶體結構、熱學特性、機械特性、晶格動力學特性、電子能帶結構、光學特性、載流子輸運特性、壓電特性以及電光效應等特性進行了比較全面的描述，并提供了大量的圖表以及具體數據。
本書可以在作為相關領域材料和器件工程師的參考資料，也可以作為從事半導體材料、半導體器件與物理、半導體材料生長等相關領域教學和研究工作的教師和學生參考。

Sadao Adachi 日本郡馬大學電子工程系幾乎所有具有實際應用價值的半導體材料都是IV族、III-V族和Il-Vl族材料，這些半導體材料的技術應用范圍非常廣泛。

譯者前言
叢書前言
原書前言
致謝與獻辭
1　結構特性
　1.1 電離度
1.1.1　定義
1.1.2　電離度值
　1.2　元素同位素豐度和分子量
1.2.1　元素同位素豐度
1.2.2　分子量
　1.3　晶體結構和空間群
1.3.1　晶體結構
1.3.2　空間群
　1.4　晶格常數和相關參數
1.4.1　晶格常數
1.4.2　分子和晶體密度
　1.5　結構相變
　1.6　解理
1.6.1　解理面
1.6.2　界面能
　參考文獻
2　熱學性能
　2.1　熔點及其相關參數
2.1.1　相圖
2.1.2　熔點
　2.2 比熱
　2.3　德拜溫度
　2.4　熱膨脹系數
　2.5　熱導率和熱擴散率
2.5.1　熱導率
2.5.2　熱擴散率
　參考文獻
3　彈性性能
　3.1　彈性常數
3.1.1　概述
3.1.2　室溫值
3.1.3　外部微擾影響
3.2　三階彈性常數
3.3　楊氏模量、泊松比及相關性質
3.3.1　楊氏模量和泊松比：立方點陣
3.3.2　體模量、切變模量及相關性質：立方點陣
3.3.3　楊氏模量和泊松比：六方點陣
3.3.4　體模量、剪切模量及相關性質：六方點陣
　3.4　顯微硬度
　3.5　聲速
　參考文獻
4　晶格動力學性質
4.1　聲子色散關係
4.1.1　布里淵區
4.1.2　聲子散射曲線
4.1.3　聲子態密度
　4.2　聲子頻率
4.2.1　室溫下的值
4.2.2　外部微擾效應
　4.3　Grtineisen參數
　4.4　聲子畸變勢
4.4.1　立方晶格
4.4.2　六方晶格
　參考文獻
5　集體效應和響應特性
　5.1　壓電常數和機電系數
5.1.1　壓電常數
5.1.2　機電耦合系數
　5.2　FrOhlich耦合系數
　參考文獻
6　能帶結構：禁帶寬度
7　能帶結構：有效質量
8　形變勢　
9　電子親和勢和肖特基勢壘高度
10　光學特徵
11　光彈、電光和非線性光學性能
12　載流子的輸運特性
參考文獻