半導體薄膜技術與物理(簡體書)

本書共分十章，以葉志鎮教授“半導體薄膜技術物理”講義為基礎編撰而成。第一章敘述了真空技術的基本知識；第二章至第八章是本書的核心內容，結合各種半導體材料，詳細介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相沉積和濕化學合成等半導體薄膜技術與物理；第九章介紹了超晶格的相關知識，超晶格、量子阱是現代新型半導體器件的基礎和關鍵；第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術，包括發光二極管、薄膜晶體管和紫外探測器。

葉志鎮，男，1955年5月生于浙江溫州。1987年獲浙江大學光儀系工學博士學位；畢業后留校工作，1990～1992年留學美國麻省理工學院（MIT）；1994年晉升為教授；1996年選為博導。現為浙江大學材料與化學工程學院副院長、浙江大學納米中心主任。1988年進入浙江大學材料系，在硅材料國家重點實驗室一直從事半導體薄膜教學科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制備、物性調控及光電應用；納米薄層材料高真空CVD技術研發及應用。現兼任國家自然科學基金委信息科學部評審組成員，全國電子材料專委副主任，全國半導體與集成技術、半導體材料和半導體物理專委委員等。

第1章　真空技術
§1.1　真空的基本概念
1.1.1　真空的定義
1.1.2　真空度單位
1.1.3 真空區域劃分
§1.2　真空的獲得
§1.3　真空度測量
1.3.1　熱傳導真空計
1.3.2 熱陰極電離真空計
1.3.3 冷陰極電離真空計
§1.4　真空度對薄膜工藝的影響
參考文獻
第2章　蒸發技術
§2.1　發展歷史與簡介
§2.2　蒸發的種類
2.2.1 電阻熱蒸發
2.2.2 電子束蒸發
2.2.3 高頻感應蒸發
2.2.4　激光束蒸發
2.2.5 反應蒸發
§2.3　蒸發的應用實例
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜
2.3.2　ITO薄膜
參考文獻
第3章　濺射技術
§3.1　濺射基本原理
§3.2　濺射主要參數
3.2.1　濺射閩和濺射產額
3.2.2　濺射粒子的能量和速度
3.2.3　濺射速率和淀積速率
§3.3　濺射裝置及工藝
3.3.1 陰極濺射
3.3.2　三極濺射和四極濺射
3.3.3　射頻濺射
3.3.4　磁控濺射
3.3.5　反應濺射
§3.4　離子成膜技術
3.4.1 離子鍍成膜
3.4.2 離子束成膜
§3.5　濺射技術的應用
3.5.1　濺射生長過程
3.5.2 濺射生長Zno薄膜的性能
參考文獻
第4章　化學氣相沉積
§4.1　概述
§4.2　硅化學氣相沉積
4.2.1 CVD反應類型
4.2.2 CVD熱力學分析
4.2.3 CVD動力學分析
4.2.4 不同硅源的外延生長
4.2.5 成核
4.2.6　摻雜
4.2.7　外延層質量
4.2.8 生長工藝
§4.3　CVD技術的種類
4.3.1 常壓CVD
4.3.2　低壓CVD
4.3.3 超高真空CVD
　……
第5章　脈沖激光沉積
第6章　分子束外延
第7章　液相外延
第8章　濕化學制備方法　
第9章　半導體超晶格和量子阱
第10章　半導體器件制備技術
參考文獻