功率晶體管原理（簡體書）

本書首先介紹Si和SiC材料的基本物理特性、PN結的終端造型技術，并討論肖特基二極管、PIN整流二極管、功率晶體管的基本結構與特徵參數；然后深入討論功率MOSFET和IGBT的元胞結構、阻斷特性、正向導通特性、開關特性及其基礎工藝。
本書可以作微電子技術與微電子學、電子科學與電子技術、電力電子技術專業本科生教材或教學參考書。

第1章 材料參數物理
　1.1 半導體的晶體結構
　1.2 能帶理論
　1.3 熱平衡載流子
　1.4 硅中載流子遷移率
　1.5 硅的電阻率
　1.6 壽命
　1.7 電流方程和連續方程
　1.8 SiC材料特性及器件工藝特點
　習題
　參考文獻
第2章 PN結的擊穿與終端造型技術
　2.1 PN結空間電荷區的電場和電位分布
　2.2 雪崩擊穿
　2.3 柱面結與球面結
　2.4 臺面終端
　2.5 刻蝕造型與鈍化
　2.6 離子注入展寬PN結終端
　2.7 浮置限場環
　2.8 場板
　2.9 限場環與場板復合結構
　習題
　參考文獻
第3章 功率整流二極管
　3.1 肖特基整流二極管
　3.2 碳化硅肖特基勢壘整流二極管
　3.3 PIN整流二極管
　3.4 PIN肖特基組合整流二極管（MPS）
　習題
　參考文獻
第4章 雙極功率晶體管
　4.1 大注入效應
　4.2 基區擴展效應
　4.3 發射極電流的集邊效應
　4.4 動態開關特性
　4.5 靜態阻斷特性
　4.6 達林頓功率晶體管
　4.7 晶體管的最大耗散功率
　4.8 二次擊穿和安全工作區
　4.9 巨型功率晶體管的設計與製造（GTR）分析
　習題
　參考文獻
第5章 功率MOSFET
　5.1 基本結構和工作原理
　5.2 電容—電壓特性（C—V特性）
　5.3 伏安特性
　5.4 靜態阻斷特性
　5.5 正向導通特性
　5.6 反向導通特性
　5.7 頻率特性
　5.8 開關特性
　5.9 安全工作區
　5.10 器件結構和工藝
　5.11 碳化硅功率MOSFET
　習題
　參考文獻
第6章 絕緣柵雙極晶體管
　6.1 IGBT的結構與工作原理
　6.2 穩態阻斷特性
　6.3 正向導通特性
　6.4 非穿通和穿通型IGBT的I—V特性
　6.5 閂鎖電流密度
　6.6 安全工作區（S—O—A）
　6.7 安全工作區的模擬實驗分析
　6.8 開關特性
　6.9 開關特性的模擬實驗分析
　6.10 IGBT新結構
　習題
　參考文獻