三民網路書店 中國圖書館分類法 / 工業技術 / 無線電電子學、電信技術 / 半導體技術

GaN基寬禁帶半導體異質結構具有很高的應用價值，是發展高頻、高功率電子器件*優選的半導體材料。本書基於國內外GaN基電子材料和器件的發展現狀和趨勢，從晶體結構、能帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導體異質結構和二維電子氣的物理性質、國內外發展動態、面臨的關鍵科學技術問題、主要的材料和器件研發成果及其應用情況和發展前景。本書可作為相關專業高年級本科生和研究生的教學參考用書，可為從事寬禁帶半導體電子材料和器件研發及生產的科技工作者、企業工程技術人員提供參考，也可供從事該領域科研和高技術產業管理的企業家和政府官員使用。

本書全面地總結了整機電子裝聯技術，內容涵蓋整機裝聯的各個方面。從工程應用角度，全面、系統地對整機裝聯的裝配環境及所需材料進行了詳細的描述，如焊料、焊劑、膠黏劑等。介紹了整機裝配中使用的電纜組件、連接器等的電裝工藝，如電纜及連接器的選型、電纜的綁扎和走線注意事項、元器件的裝配工藝等。著重對基礎知識進行了講解，同時結合實際的應用，突出機理和實際操作，對理解整機電子裝聯技術原理有很大幫助。最后，從印制板

《圖解入門――半導體製造工藝基礎精講（原書第4版）》以圖解的方式深入淺出地講述了半導體製造工藝的各個技術環節。全書共分為12章，包括半導體製造工藝全貌、前段制程概述、清洗和乾燥濕法工藝、離子注入和熱處理工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、成膜工藝、平坦化 （CMP）工藝、CMOS工藝流程、後段制程工藝概述、後段制程的趨勢、半導體工藝的*新動向。本書適合與半導體業務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、對半導體製造工藝感興趣的職場人士和學生等閱讀參考。

本書重點討論了與氮化鎵(GaN)器件相關的內容，共分15章，每一章都圍繞不同的主題進行論述，涵蓋GaN材料、與CMOS工藝兼容的GaN工藝、不同的GaN器件設計、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表徵以及GaN器件的應用。本書的特點是每一章都由全球不同的從事GaN研究機構的專家撰寫，引用了大量的代表新成果的文獻，適合於從事GaN技術研究的科研人員、企業研發人員，以及工程師閱讀，也可作為微電子及相關專業的高年級本科生、研究生和教師的參考用書。

《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，系統地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlCaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和優化、製備工藝

本書根據作者從事半導體材料研究所積累的理論知識、工作經驗和技術資料，在查閱了大量的書籍和文獻資料的基礎上，將與半導體材料專業技術相關的知識要點提取出來，並根據作者的理解將相關內容分成6個部分，即半導體材料概述、材料物理性能、晶體生長、熱處理、材料性能測量和半導體工藝基礎技術。其中半導體材料物理性能被劃分為三大類12個方面，共涉及100多個材料性能參數；晶體生長部分涵蓋了晶體生長的基礎理論、體晶生長

低維量子器件是微納電子技術研究的核心，低維量子器件物理是現代半導體器件物理的一個重組成部分。它的主要研究對象是低維量子器件的設計制作，器件性能與載流子輸運動力學等內容。《低維量子器件物理》主要以異質結雙極晶體管、高電子遷移率晶體管、共振隧穿電子器件、單電子器件、量子結構激光器、量子結構紅外探測器和量子結構太陽電池為主，比較系統地分析與討論了它們的工作原理與器件特性，并對自旋電子器件、單分子器件和量

表面組裝技術（ SMT ）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預先塗敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機械和電氣連接的組裝技術。本書以表面組裝技術（ SMT ）生產過程為主線，詳細介紹了電子產品的表面組裝技術，主要內容包括表面組裝技術概述、表面組裝材料、表面塗敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其中表面組裝材料介紹了表面組裝元器件、電路板、焊膏和貼片膠。 本書可作為S

《氮化鎵功率晶體管――器件、電路與應用(原書第3版)》共17章，第1章概述了氮化鎵(GaN)技術；第2章為GaN晶體管的器件物理；第3章介紹了GaN晶體管驅動特性；第4章介紹了GaN晶體管電路的版圖設計；第5章討論了GaN晶體管的建模和測量；第6章介紹了GaN晶體管的散熱管理；第7章介紹了硬開關技術；第8章介紹了軟開關技術和變換器；第9章介紹了GaN晶體管射頻性能；第10章介紹了DC-DC功率變換；第11章討論了多電平變換器設計；第12章介紹了D類音頻放大器；第13章介紹了GaN晶體管在激光雷達方面的應用；第14章介紹了包絡跟蹤技術；第15章討論了高諧振無線電源；第16章討論了GaN晶體管的空間應用；第17章分析了GaN晶體管替代矽功率晶體管的原因。 《氮化鎵功率晶體管――器件、電路與應用(原書第3版)》適合作為從事GaN功率半導體技術研究的科研工作者、工程師、高年級本科生和研究生的參考書，也可以作為高等院校微電子科學與工程、集成電路科學與工程、電力電子技術專業的教材。

《納米科學與技術:有機場效應晶體管》內容簡介：有機場效應晶體管是有機電路的基本構筑單元，也是分析有機半導體傳輸性能的有力工具。基于有機場效應晶體管的顯示器、電子紙、射頻商標等產品已經走人人們的視野，預示有機場效應晶體管具有巨大的應用前景。胡文平編著的《有機場效應晶體管》共分10章，系統、全面地介紹了有機場效應晶體管的發展歷史，基本概念與原理，材料的選取、制備與表征，晶體管的構筑與實際應用等內容。《

本書基於作者多年從事LED芯片設計與製造技術研發和產業化的經驗，詳細介紹了提高水平結構LED芯片、倒裝結構LED芯片和高壓LED芯片外量子效率的設計與製造技術。採用微加工技術在水平結構LED芯片的正面、底面和側面集成微納光學結構，提高其發光效率。採用高反射率、低阻P型歐姆接觸電極和通孔接觸式N型電極提高倒裝結構LED芯片發光效率。

全書按照LED產業鏈的主線進行編寫，試圖從LED的原理、材料、芯片、封裝、應用等闡述LED。全書分為1

本書由國家首批“雙高計劃”建設單位、國家示範性高職院校中山火炬職業技術學院聯合寧波職業技術學院組織編寫。本書的主要內容包括LED封裝和LED檢測兩個部分。第壹部分為項目一～項目八，介紹LED封裝技術，主要內容包括LED企業中生產線上的芯片製造、固晶、焊線、封膠和分光等工序的崗位任務介紹、各崗位的操作流程解釋與示例、儀器設備的工作原理等。第二部分為項目九、項目十，介紹LED檢測技術，主要內容包括LED燈珠及燈具光色電綜合特性檢測、LED燈珠熱性能檢測、熒光粉激發特性檢測等。全書依託現有的LED封裝及測試設備來組織內容，配有大量的封裝及檢測操作圖片，內容實用，通俗易懂，注重培養讀者的專業能力與解決實際問題的能力。本書符合LED封裝與檢測行業崗位的職業技能需求，實用性強，可供職業院校的光電技術、應用電子、節能工程等專業的師生應用，也可供從事LED技術研究與應用的工程技術人員參考。

《有機電子學》從有機電子學的角度，深入淺出地總結了有機電子材料中的電子結構與過程，并以此為基礎，闡述了有機固體凝聚態的各種性質，這些性質對實際應用中的有機光電器件的行為起決定性作用。基于對理論的理解，書中介紹了有機電子材料性質的測試表征方法，討論了有機薄膜材料在實際電子器件中的各種應用，例如，有機場效應晶體管、基于有機材料的太陽能電池、基于有機電致發光的信息顯示與照明、有機傳感器、有機存儲器及

孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著的《半導體器件物理》是普通高等教育“十一五”國家級規劃教材。本書介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術。全書內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型電晶體、金屬-半導體結、結型場效應電晶體和金屬-半導體場效應電晶體、金屬-氧化物-半導體場效應電晶體、電荷轉移器件、半導體太陽電池及光電二極體、發光

《半導體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準確的語言，介紹典型半導體器件的核心知識，主要包括半導體物理基礎、pn結、雙極型晶體管、場效應晶體管、金屬-半導體接觸和異質結、半導體光電子器件。《半導體器件原理簡明教程》在闡明基本結構和工作原理的基礎上，還介紹了微電子領域的一些新技術，如應變異質結、能帶工程、量子阱激光器等。《半導體器件原理簡明教程》可作為高等院校電子信息與電氣學科相關專業半導體器件原理課

有機熱電是有機電子學和能源領域的交叉前沿研究方向之一，自2010年以來取得快速發展。作為快速起步的新興研究方向，有機熱電材料與器件缺乏聚焦該方向的專著。本書圍繞分子體系的熱電能量轉換過程、機制、功能與應用，系統闡述有機熱電領域的發展機遇、現狀與挑戰，對推動該領域的快速發展具有重要學術價值。本書根據該領域的特點和自身發展現狀，並結合作者多年的研究積累及對相關原始文獻的解讀，系統介紹有機熱電材料與器件。尤其是從分子體系熱電轉換的基本原理與機制出發，重點介紹有機熱電材料的設計策略與基本思想、有機熱電器件的構建技術與集成方法，系統介紹有機熱電的研究方向、前沿進展和發展趨勢，期望形成對相關學科領域的系統認知。

半導體材料是微電子、光電子和太陽能等工業的基石，而其電學性能、光學性能和機械性能將會影響半導體器件的性能和質量，因此，半導體材料性能和結構的測試和分析，是半導體材料研究和開發的重要方面。本書主要介紹半導體材料的各種測試分析技術，涉及測試技術的基本原理、儀器結構、樣品制備和應用實例等內容：包括四探針電阻率、無接觸電阻率、擴展電阻、微波光電導衰減、霍爾效應、紅外光譜、深能級瞬態譜、正電子湮沒、熒光光譜

本書介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O3四種最重要的寬禁帶半導體電子材料和器件,從晶體結構、帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件等方面論述了其基礎物理性質、面臨的關鍵科學技術問題、國內外前沿研究成果和應用前景。

《普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材：半導體材料（第3版）》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材，介紹了主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為矽和鍺的化學製備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長；第4章為矽、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為矽外延生長；第6章為Ⅲ-V族化合物半導體；第7章為Ⅲ-V族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-