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葉志鎮、呂建國、呂斌、張銀珠（2）

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半導體薄膜技術與物理(第三版)（簡體書）

作者：葉志鎮 出版社：浙江大學出版社 出版日：2021/06/01 裝訂：平裝

本書介紹了半導體薄膜的各種製備技術及其相關的物理基礎，全書共分十一章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學氣相沉積、脈衝激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的製備技術，第十一章介紹了溶液法技術及發光器件的製備。

定價：354 元，優惠價：87 308

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氧化鋅半導體材料摻雜技術與應用（簡體書）

作者：葉志鎮 出版社：浙江大學出版社 出版日：2009/01/01 裝訂：平裝

本書介紹了氧化鋅(ZnO)的摻雜技術、性能及其應用。全書共分七章，第一章概述了ZnO的結構、基本性質與制備方法，第二章介紹了ZnO的本征缺陷和非故意摻雜，第三至第六章分別介紹了ZnO的n型摻雜、p型摻雜、合金摻雜、稀磁摻雜等各種摻雜技術及其應用，第七章闡述了ZnO半導體器件的相關研究。本書在內容上寬度和深度相結合，系統介紹了ZnO的基本知識，同時對ZnO研究的熱點領域進行了詳細而深入的探討。本書理

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半導體薄膜技術與物理(簡體書)

作者：葉志鎮; 呂建國; 呂斌; 張銀珠 出版社：浙江大學出版社 出版日：2008/09/01 裝訂：平裝

本書共分十章，以葉志鎮教授“半導體薄膜技術物理”講義為基礎編撰而成。第一章敘述了真空技術的基本知識；第二章至第八章是本書的核心內容，結合各種半導體材料，詳細介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相沉積和濕化學合成等半導體薄膜技術與物理；第九章介紹了超晶格的相關知識，超晶格、量子阱是現代新型半導體器件的基礎和關鍵；第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術，包括發光二極管、薄膜晶

定價：216 元，優惠價：87 188

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半導體薄膜技術與物理(第2版)（簡體書）

作者：葉志鎮; 呂建國; 呂斌; 張銀珠 出版社：浙江大學出版社 出版日：2019/07/22 裝訂：平裝

葉志鎮、呂建國、呂斌、張銀珠編著的《半導體薄膜技術與物理（第2版）》全面系統地介紹了半導體薄膜的各種制備技術及其相關的物理基礎。全書共分十章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術。本書文字敘述上力求做到

定價：294 元，優惠價：87 256

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