三民網路書店 中國圖書館分類法 / 工業技術 / 無線電電子學、電信技術 / 半導體技術

本書主要介紹近幾年發展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。本書共分為7章，第1～4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結構，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注入、缺陷修復等內容；第5～7章（氧化鎵器件部分）介紹了氧化鎵二極管器件的應用方向、器件類型及其發展歷程，氧化鎵場效應晶體管的工作原理、性能指標、器件類型、發展歷程以及今後的發展方向，氧化鎵日盲深紫外光電探測器的工作原理、器件類型、成像技術等。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高等院校的教師、研究生、高年級本科生的參考書和工具書，也可作為其他對氧化鎵寬禁帶半導體器件感興趣的研究人員的參考資料。

《半導體器件物理(第三版)》是普通高等教育“十一五”國家*規劃教材。《半導體器件物理(第三版)》介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術。內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬-半導體結、結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、電荷轉移器件、半導體太陽電池和光電二極管、發光二極管和半導體激光器等。

本書以作者近年來的研究成果為基礎，結合國際研究進展，系統地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應管器件。全書共8章，內容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應管的原理和優化、金剛石微波功率器件、基於各種介質的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石複合器件及金剛石半導體器件的展望。本書可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀。

輻射在半導體器件中電離產生電子-空穴對，長時間輻射劑量累積引起半導體器件電離輻射總劑量效應。電離輻射總劑量效應是輻射效應中最常見的一種，可以導致器件性能退化，閾值電壓漂移、遷移率下降、動態和靜態電流增加，甚至功能失效，在輻射環境中工作的半導體器件和電子系統必須考慮的總劑量效應問題。本書主要介紹電離輻射環境與效應、體矽CMOS工藝器件和SOI工藝器件電離總劑量效應、雙極工藝器件低劑量率輻射損傷增強效應、總劑量效應數值模擬和試驗方法、總劑量效應預估模型與方法、納米器件總劑量效應與可靠性、系統級總劑量效應模擬試驗方法等內容。

本書主要介紹積體電路製造的各種設備，以青少年熟悉的“武林高手”的形式介紹主要積體電路製造設備，如被稱為積體電路製造的“四大金剛”離子注入機、光刻機、刻蝕設備和薄膜沉積設備。從這些設備在積體電路製造中的各自作用入手，圖文並茂地圍繞“精”這個字，體現積體電路製造設備的技術先進性、複雜度和極具挑戰性的特點，一方面以青少年喜聞樂見的方式普及核心設備的基礎知識，另一方面引發他們未來從事積體電路製造設備研發的興趣。

本書以第三代半導體與二維材料相結合的產業化應用為目標，詳細介紹了二維材料上準範德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應用，內容集學術性與實用性於一體。全書共8章，內容包括二維材料及準範德華外延原理及應用、二維材料/氮化物準範德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準範德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準範德華外延、非晶襯底上氮化物準範德華外延、準範德華外延氮化物的柔性剝離及轉移、準範德華外延氮化物器件散熱以及Ⅲ族二維氮化物。全書內容新穎，循序漸進，理論性和應用性強，可供從事第三代半導體材料以及半導體照明領域相關的研究生、科研人員與企業研發人員等閱讀參考。

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法，並對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書，也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。

本書為高等院校非電類工科專業電子實驗教材,共分為三篇: 第一篇是電子實驗基礎,主要介紹電子元器件、測量技術及儀器設備(包括軟、硬體);第二篇是電子實驗,由基礎性實驗和設計性綜合性實驗組成;第三篇是例題、習題和實驗理論試卷。本書第一篇和第二篇均配有思考題。

本書以簡潔明瞭的結構向讀者展現了半導體工藝中使用的設備基礎和機制。全書涵蓋了半導體製造設備的現狀以及展望。同時也對清洗和乾燥設備、離子注入設備、熱處理設備、光刻設備、蝕刻設備、成膜設備、CMP設備、檢測和分析設備、後段制程設備等設備逐章進行解說。雖然包含了很多生澀的詞匯，但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格幫助讀者進行理解。這作為本書的一大特色一定能帶你進入一個半導體製造設備的立體世界。

《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術的各個方面及其發展歷程，內容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻等方面，而且還介紹了極紫外光刻生態系統的其他方面，如極紫外光刻工藝特點和工藝控制、極紫外光刻量測的特殊要求，以及對技術發展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內容。最後本書還討論了滿足未來的芯片工藝節點要求的極紫外光刻技術發展方向。

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體製造工藝的各個技術環節。全書共分為10章，包括俯瞰功率半導體工藝全貌、功率半導體的基礎知識及運作、各種功率半導體的作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用於功率半導體的矽晶圓、矽功率半導體的發展、挑戰矽極限的SiC與GaN、功率半導體製造過程的特徵、功率半導體開闢綠色能源時代等。 本書適合與半導體業務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、對功率半導體感興趣的職場人士和學生閱讀。

本書首先對目前各種光刻技術的原理、方法和特點進行描述與分析比較，由此引出本書的主題――激光熱敏光刻； 然後詳細闡述激光熱敏光刻的物理過程、儀器系統、光刻策略、用於**光斑尺寸的納米光刻、跨尺度光刻、寬波段光刻、分辨率極限光刻、灰度圖形光刻，以及圖形轉移的方法和相應的實驗結果及應用事例。希望本書闡述的內容能從另一個角度分析和理解光刻，從而給目前的光刻技術帶來變革性影響，以滿足未來個性化和智能化的微電子芯片與微納結構光電子器件的需求。

本書基於作者在薄膜電晶體液晶顯示器領域的開發實踐與理解，並結合液晶顯示技術的最新發展動態，首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點，然後依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術的光學特點與補償技術、薄膜電晶體器件的SPICE模型、液晶取向技術、液晶面板與電路驅動的常見不良與解析，最後介紹了新興的低藍光顯示技術、電競顯示技術、量子點顯示技術、Mini LED和Micro LED技術及觸控技術的原理與應用。

本書主要闡述功率半導體器件封裝技術為主的發展歷程及其涉及的材料、工藝、質量控制和產品認證等方面的基本原理和方法。同時對功率器件的電性能測試、失效分析、產品設計、仿真應力分析和功率模塊的封裝技術做了較為系統的分析和闡述，也對第三代寬禁帶半導體功率器件的封裝技術及應用於特殊場景（如汽車和航天領域）的功率器封裝技術及質量要求進行了綜述。通過對本書的學習，讀者能夠瞭解和掌握功率半導體器件的封裝技術和質量要求，由此展開並理解各種封裝技術的目的、特點和應用場合，從而深刻理解半導體器件的封裝實現過程及其重要性。

與傳統半導體器件GaAs和GaN HEMTs相比，InAs/AlSb HEMTs作為典型的銻基化合物半導體(ABCS)器件具備更高的電子遷移率和電子飽和漂移速度，在高速、低功耗、低噪聲等應用方面擁有良好的發展前景。特別在深空探測方面，InAs/AlSb HEMTs作為深空探測的低噪聲放大器(LNA)的候選核心器件具有無可比擬的優勢。因此，本文針對InAs/AlSb HEMTs器件開展了系統研究，在器件特性研究、模型建立、電路設計及製備工藝等方面進行了較為深入的探討。本書在體系上力求合理完整，可作為高等院校的微電子技術相關專業本科和研究生的科研參考資料，可作為電子製造工程師的參考書和微電子封裝企業職工教育培訓的教材。

《基於表面改性的氮化鎵納米材料》本書主要介紹了第一性原理模擬方法及其在計算機模擬中各種參數的設置和實際模擬中的參數選擇，同時闡述了該方法在基於表面改性設計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應變場)作用下電學性質和磁學性質研究中的應用，並將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。本書可供從事半導體納米材料的科研人員和工程技術人員使用，也可作為高等院校相關專業師生的參考用書。

本書講述了傳統軟釺料合金在微電子工業中已得到了廣泛的應用，然而軟釺料合金已經不能滿足第三代寬禁帶半導體（碳化矽和氮化鎵）器件的高溫應用需求。新型銀燒結/銅燒結技術和瞬態液相鍵合技術是實現高溫器件可靠連接的關鍵技術，該技術對新能源電動汽車、軌道交通、光伏、風電以及國防等領域具有重要意義。本書較為全面地介紹了當前用於高溫環境下的芯片連接所涉及的新型互連材料的理論基礎、工藝方法、失效機制、工藝設備、質量控制與可靠性。

本書講述了以日本碳化矽學術界元老京都大學名譽教授松波弘之、京都大學實力派教授木本恒暢、關西學院大學知名教授大谷昇和企業實力代表羅姆公司的中村孝先生為各技術領域的牽頭，集日本半導體全產業鏈的產學研各界中的骨幹代表，在各自的研究領域結合各自多年的實際經驗，撰寫了這本囊括SiC全產業鏈的技術焦點、以技術為主導、以應用為目的的實用型專業指導書。書中從理論面到技術面層次分明、清晰易懂地展開觀點論述，內容覆蓋碳化矽材料和器件從製造到應用的全產業鏈，不僅表述了碳化矽各環節的科學原理，還介紹了各種相關的工藝技術。

本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關技術，內容涵蓋垂直型和橫向功率半導體器件的比較，GaN和SiC的物理性質、外延生長、製備工藝，主要器件結構與特性，以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。

本書是普通高等教育“十一五”國家級規劃教材《半導體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學輔導資料。全書共分為11章，內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬一半導體結、結型場效應晶體管和金屬一半導體場效應晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、電荷轉移器件、半導體太陽電池和光電二極管、發光二極管和半導體激光器。書末還給出了近幾年吉林大學“微電子學與固體電子學”國家重點學科研究生入學考試試題及參考答案。本書可供電子科學與技術、微電子學、光電子技術等專業師生在半導體器件物理課程的教學中使用，也可供有關工程技術人員和科研工作者參考。