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165反詐騙

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中國圖書館分類法

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三民網路書店 中國圖書館分類法 / 工業技術 / 無線電電子學、電信技術 / 半導體技術

共615筆商品，10/31頁
多場耦合條件下壓電俘能器設計理論及應用（簡體書）
滿額折
181.

多場耦合條件下壓電俘能器設計理論及應用（簡體書）

作者：張旭輝  出版社：華中科技大學出版社  出版日：2020/05/01 裝訂：平裝
本專著共分為8章,第1章簡要概述目前能量俘獲技術的研究現狀;第2、3章為壓電能量俘獲技術基本理論知識儲備和線性系統模型構建,作為入門章節旨在為讀者提供研究的基本理論方法;第4章至第6章以懸臂式多場耦合非線性壓電俘能器為對象,詳細介紹懸臂式能量俘獲技術的理論與方法;第7章補充介紹了懸臂式和擊打式兩種不同結構的多方向壓電俘能器的建模分析與實驗研究實例;第8章簡要介紹不同工程應用領域中壓電能量俘獲技術的
定價：408 元， 優惠價：87 355
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寬禁帶電力電子器件原理與應用（簡體書）
滿額折
182.

寬禁帶電力電子器件原理與應用（簡體書）

作者：秦海鴻  出版社：科學出版社  出版日：2020/05/01 裝訂：平裝
《寬禁帶電力電子器件原理與應用》以碳化矽和氮化鎵電力電子器件為主要對象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現狀與發展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎與基本原理；然後介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點，闡述寬禁帶電力電子器件的驅動電路設計挑戰、原理與設計方法；最後介紹在寬禁帶電力電子器件特性測試和使用寬禁帶電力電子器件製作電力電子變換器時
定價：474 元， 優惠價：87 412
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基於氧化鎵的超寬禁帶半導體薄膜生長與表徵（簡體書）
183.

基於氧化鎵的超寬禁帶半導體薄膜生長與表徵（簡體書）

作者：張法碧  出版社：華中科技大學出版社  出版日：2020/05/01 裝訂：平裝
本專著主要研究了新一帶超寬禁帶半導體材料-氧化鎵的基本性質;全書從氧化鎵的基本性質與國內外研究現狀入手,詳細論述了氧化鎵生長質量的影響因素;論述了利用摻雜來氧化鎵電導率調製的方法與機制;論述了分別利用氧化銦和氧化鋁和氧化鎵來形成合金從而調節其禁帶寬度的方法與機制。
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Freeform Optics for LED Packages and Applications LED封裝與應用中的自由曲面光學技術（簡體書）
滿額折
184.

Freeform Optics for LED Packages and Applications LED封裝與應用中的自由曲面光學技術（簡體書）

作者：王愷; 劉勝; 羅小兵; 吳丹  出版社：化學工業出版社  出版日：2020/04/01 裝訂：精裝
自由曲面光學是一新興的LED照明光學技術，其優勢在於具有較高的設計自由度和精確的光能量分佈控制，能夠提供一個實現高質量LED照明的有效的光學設計方法。本書系統地介紹了一系列面向LED封裝與應用的自由曲面光學算法與設計方法，包括各類圓對稱自由曲面透鏡、非圓對稱自由曲面透鏡、自由曲面透鏡陣列優化等。同時，也包括了LED照明中各種先進的自由曲面光學設計應用與案例分析，包括光型可控的應用導向型LED封裝、
定價：1788 元， 優惠價：87 1556
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衍射極限附近的光刻工藝（簡體書）
滿額折
185.

衍射極限附近的光刻工藝（簡體書）

作者：伍強  出版社：清華大學出版社(大陸)  出版日：2020/02/01 裝訂：平裝
為了應對我國在集成電路領域,尤其是光刻技術方面嚴重落後於發達國家的局面,破解光刻製造設備、材料和光學鄰近效應修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發近 20 年的資深研發人員,作者肩負著協助光刻設備、材料和軟件等產業鏈共同研發和發展的責任,將近 20 年的學習成果和研發經驗彙編成書,建立聯繫我國集成電路芯片的研發和製造,設備、材料和軟件的研發,以及大專院校、科研院所的科學技術研究、人才
定價：1008 元， 優惠價：87 877
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面向人工智能的超小貼裝器件可靠性設計（簡體書）
滿額折
186.

面向人工智能的超小貼裝器件可靠性設計（簡體書）

作者：趙志桓  出版社：化學工業出版社  出版日：2020/01/31 裝訂：平裝
《面向人工智能的超小貼裝器件可靠性設計》主要內容包括2CK6642UB芯片磷擴散摻雜、2CK6642UB芯片硼擴散摻雜、芯片與CLCC-3(UB)金屬陶瓷管殼焊接工藝、超小CLCC-3(UB)金屬陶瓷器件封帽焊接、超小2CK6642UB型開關二極管器件可靠性試驗。《面向人工智能的超小貼裝器件可靠性設計》討論了超小CLCC-3(UB)金屬陶瓷器件研究中一些基本的科學問題，為超小CLCC-3(UB)金
定價：468 元， 優惠價：87 407
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半導體器件物理與工藝(第3版)（簡體書）
滿額折
187.

半導體器件物理與工藝(第3版)（簡體書）

作者：(美)施敏  出版社：蘇州大學出版社  出版日：2020/01/13 裝訂：平裝
施敏、李明逵編著的這本《半導體器件物理與工藝（第3版）》以15章篇幅介紹了現代半導體器件的物理原理和其先進的制造工藝技術。《半導體器件物理與工藝（第3版）》可以作為應用物理、電機工程、電子工程和材料科學領域的本科學生的教材，也可以作為研究生、工程師、科學家們了解最新器件和工藝技術發展的參考資料。
定價：570 元， 優惠價：87 496
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功率半導體器件：原理、特性和可靠性(原書第2版)（簡體書）
滿額折
188.

功率半導體器件：原理、特性和可靠性(原書第2版)（簡體書）

作者：(德)約瑟夫‧盧茨; 海因里希‧施蘭格諾托  出版社：機械工業出版社  出版日：2020/01/01 裝訂：平裝
本書介紹了功率半導體器件的原理、結構、特性和可靠性技術，器件部分涵蓋了當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，還包含了製造工藝、測試技術和損壞機理分析。就其內容的全面性和結構的完整性來說，在同類專業書籍中是不多見的。本書內容新穎，緊跟時代發展，除了介紹經典的功率二極管、晶閘管外，還重點介紹了MOSFET、IGBT等現代功率器
定價：900 元， 優惠價：87 783
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半導體材料（簡體書）
滿額折
189.

半導體材料（簡體書）

作者：王如志; 劉維; 劉立英  出版社：清華大學出版社(大陸)  出版日：2019/12/31 裝訂：平裝
“半導體材料”屬於材料科學與工程專業的專業課，涉及材料科學與半導體物理及技術等多學科的交叉領域。半導體材料是應用微電子和光電子技術的基礎，是推動現代信息技術蓬勃發展的關鍵元素。本教材的內容包括半導體材料概述，半導體材料的結構、特性及理論基礎，半導體材料的主要製備方法及工藝技術，半導體材料的雜質、缺陷及其導電機制，半導體器件應用及納米半導體材料等。
定價：288 元， 優惠價：87 251
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半導體器件數值模擬計算方法的理論和應用（簡體書）
滿額折
190.

半導體器件數值模擬計算方法的理論和應用（簡體書）

作者：袁益讓  出版社：科學出版社  出版日：2019/12/17 裝訂：精裝
半導體器件數值模擬的計算方法是現代計算數學和工業與應用數學的重要領域。半導體器件數值模擬，就是用電子計算機模擬半導體器件內部重要的物理特性和獲取有效數據，是設計和研製半導體器件結構的有效工具。本書內容包括半導體器件數值模擬的有限元方法，有限差分方法，區域分裂，局部加密網格方法和塊中心差分方法等經典理論部分，以及混合元-特徵混合元，混合元-分數步差分方法，體積有限元法，混合體積元-分數步差分方法，反問題計算和間斷有限元方法等現代數值模擬方法和技術。主要是山東大學計算數學學術梯隊三十多年來在這一領域的基礎理論和應用技術成果的總結。
定價：1188 元， 優惠價：87 1034
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TFT LCD面板設計與構裝技術（簡體書）
滿額折
191.

TFT LCD面板設計與構裝技術（簡體書）

作者：田民波; 葉鋒  出版社：科學出版社  出版日：2019/12/09 裝訂：平裝
TFT LCD液晶顯示器在平板顯示器中脫穎而出，在顯示器市場獨占鰲頭。目前以TFT LCD為代表的平板顯示產業發展迅速，為適應平板顯示產業迅速發展的要求，編寫了薄型顯示器叢書。本冊全面闡述TFT LCD液晶顯示器製作技術，共分5章，包括第5章液晶顯示器的設計和驅動，第6章LCD的工作模式及顯示屏構成，第7章TFT LCD製作工程，第8章TFT LCD的主要部件及材料，第9章TFT LCD的改進及性
定價：834 元， 優惠價：87 726
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半導體異質結物理(第二版)（簡體書）
192.

半導體異質結物理(第二版)（簡體書）

作者：虞麗生  出版社：科學出版社  出版日：2019/12/03 裝訂：平裝
本書總結了國內外半導體異質結方面的研究成果，系統地介紹了半導體異質結的基本物理原理和特性。全書共分10章，內容包括半導體異質結材料特性，能帶圖，伏安特性，異質結晶體管，二維電子氣及調制摻雜器件，異質結結中非平衡載流子特性、半導體異質結激光器、半導體異質結的光電特性、氮化鎵異質結、超晶格和多量子阱。本書可供已學過半導體物理的高年級本科生、研究生及相關人員閱讀。
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半導體中的氫（簡體書）
滿額折
193.

半導體中的氫（簡體書）

作者：崔樹范  出版社：科學出版社  出版日：2019/12/02 裝訂：平裝
本書系統並扼要介紹國際上從上世紀八十年代直到今天持續活躍的關於半導體中氫的研究成果。內容涵蓋從半導體中氫原子與分子的最初實驗發現到氫致缺陷研究（包括國內研究人員的貢獻），到矽等元素半導體至砷化鎵，碳化矽等化合物半導體中氫的基本性質和重要效應。其中包括對材料和器件研製至關重要的含氫複合物，荷電雜質與缺陷的中性化，氫致半導體表面金屬化或磁性改變，以及對導電性的影響。
定價：408 元， 優惠價：87 355
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晶圓製造中的並行機調度（簡體書）
滿額折
194.

晶圓製造中的並行機調度（簡體書）

作者：張潔; 張朋  出版社：清華大學出版社(大陸)  出版日：2019/12/01 裝訂：平裝
本書在介紹晶圓製造中的並行機調度問題和建模方法的基礎上, 分別介紹了光刻機調度方法、爐管區調度方法以及物料運輸系統調度方法。同時介紹了晶圓製造中的並行機調度性能評價方法, 以及原型系統的開發和應用。
定價：474 元， 優惠價：87 412
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SMT設備操作與維護（簡體書）
滿額折
195.

SMT設備操作與維護（簡體書）

作者：人力資源社會保障部教材辦公室 編著  出版社：中國勞動社會保障出版社  出版日：2019/12/01 裝訂：平裝
本書主要內容包括認識SMT生產線、印刷機操作與維護、貼片機操作與維護、回流焊機操作與維護、SMT檢測設備操作與維護、SMT生產線輔助設備操作與維護和SMT生產運行與管理綜合實訓等。針對教材中的教學重點和難點，還配套開發了電子課件、微視頻等教學素材，供讀者使用移動終端掃描教材中相應位置處二維碼在線觀看，或通過我社網站下載使用。
定價：150 元， 優惠價：87 131
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有機薄膜晶體管材料器件和應用（簡體書）
滿額折
196.

有機薄膜晶體管材料器件和應用（簡體書）

作者：孟鴻; 黃維  出版社：科學出版社  出版日：2019/11/20 裝訂：精裝
本書從有機薄膜晶體管的發展歷程、器件結構與原理、材料種類、器件性能及應用等方面對這種新型的有機電子器件作了較全面的論述。重點梳理了作者及國內外同行在有機薄膜晶體管有源層及介電層材料方面的研究成果，涵蓋小分子材料、高分子材料、液晶材料、介電材料、材料計算模擬、有機單晶材料的發展與生長方法等。系統闡述了提高有機薄膜晶體管器件性能的各種方法。
定價：648 元， 優惠價：87 564
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IGBT疲勞失效機理及其健康狀態監測（簡體書）
滿額折
197.

IGBT疲勞失效機理及其健康狀態監測（簡體書）

作者：肖飛; 劉賓禮; 羅毅飛; 黃永樂  出版社：機械工業出版社  出版日：2019/11/13 裝訂：平裝
《IGBT疲勞失效機理及其健康狀態監測》通過詳細分析IGBT芯片與封裝疲勞失效機理,在研究失效特徵量隨疲勞老化時間變化規律的基礎之上,通過將理論分析與解析描述相結合,建立了IGBT相關電氣特徵量的健康狀態監測方法,對處於不同壽命階段的IGBT器件健康狀態進行有效評估。《IGBT疲勞失效機理及其健康狀態監測》可作為從事電力電子技術理論與工程的技術人員的參考書,也可作為電力電子與電力傳動專業的本科生?
定價：354 元， 優惠價：87 308
海外經銷商無庫存，到貨日平均30天至45天
半導體器件物理(第3版)（簡體書）
滿額折
198.

半導體器件物理(第3版)（簡體書）

作者：(美)施敏  出版社：西安交通大學出版社  出版日：2019/09/01 裝訂：平裝
《半導體器件物理》這本經典著作在半導體器件領域已經樹立起了先進的學習和參考典范。此書的第3版保留了重要半導體器件的最為詳盡的知識內容，并做了更新和重新組織，反映了當今器件在概念和性能等方面的巨大進展，它可以使讀者快速地了解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點。本書專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：以最新進展進行了全面更新；包括了對三維MOSFET、
定價：588 元， 優惠價：87 512
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多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管（簡體書）
滿額折
199.

多元非晶氧化物薄膜及其薄膜晶體管（簡體書）

作者：岳蘭  出版社：西南交通大學出版社  出版日：2019/08/15 裝訂：平裝
全書共7章，全面介紹了平板顯示器中核心驅動元件――多元非晶氧化物薄膜晶體管(TFT)的原理、結構、表徵，以及其在超高清大屏顯示、3D顯示、透明顯示、柔性顯示等新一代顯示技術中的應用優勢，反映了當前多元非晶氧化物的性能、製備技術及發展的前沿信息。本書還結合實例，基於第一性原理計算介紹了複雜多元氧化物半導體材料的模型構建和物理特性，並基於浸漬提拉工藝較完整地介紹了低成本製備的新型非晶氧化物溝道層材料和
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半導體薄膜技術與物理(第2版)（簡體書）
滿額折
200.

半導體薄膜技術與物理(第2版)（簡體書）

作者：葉志鎮; 呂建國; 呂斌; 張銀珠  出版社：浙江大學出版社  出版日：2019/07/22 裝訂：平裝
葉志鎮、呂建國、呂斌、張銀珠編著的《半導體薄膜技術與物理（第2版）》全面系統地介紹了半導體薄膜的各種制備技術及其相關的物理基礎。全書共分十章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術。本書文字敘述上力求做到
定價：294 元， 優惠價：87 256
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