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多尺度模擬方法在半導體材料位移損傷研究中的應用（簡體書）
- 系列名：輻射環境模擬與效應叢書
- ISBN13：9787030764690
- 出版社：科學出版社
- 作者：賀朝會等
- 裝訂／頁數：平裝／198頁
- 規格：24cm*17cm (高/寬)
- 出版日：2023/09/01
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商品簡介
商品簡介
《多尺度模擬方法在半導體材料位移損傷研究中的應用》系統介紹了用於材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，並給出了多尺度模擬方法在矽、砷化鎵、碳化矽、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導體材料的位移損傷機理和規律，在核技術和輻射物理學科的發展、位移損傷效應研究、人才培養等方面具有重要的學術意義和應用價值。
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