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商品簡介
作者簡介
序
目次
商品簡介
本書在介紹半導體照明器件―――發光二極管的材料、機理及其製造技術的同時,詳細講解了器件的光 電參數測試方法,器件的可靠性分析、驅動和控制方法,以及各種半導體照明的應用技術。本書內容系統、 全面,通過理論聯繫實際,重點突出了 “半導體照明”主題,反映了國內外最新的應用技術。
作者簡介
方志烈,1938年2月出生于江蘇江陰。1961年畢業於復旦大學並留校任教,現任該校教授。中國發光學會理事。上海市通信學會光通信專業委員會委員。
序
序言
半導體照明是指用全固態發光器件(發光二極管,即LED,是由半導體材料製成的光電器 件,可將電能轉換為光能)作為光源的照明,具有高效、節能、環保、壽命長、易維護等顯著特 點,是近年來全球最具發展前景的高新技術領域之一,是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之後 的又一場照明光源的革命。半導體照明有著巨大的市場與技術創新空間,對提升傳統照明工 業、帶動相關產業發展、擴大就業、培育新的經濟增長點意義重大。 自 20 03年 6月啟動國家半導體照明工程以來,以節能、環保,實現綠色照明,促進傳統照 明產業升級,培育有國際競爭力的半導體照明新興產業為目標,以“政府引導、企業主體、市場 化運作”為原則,經過幾年努力,已經形成了從上游材料、芯片到中、下游封裝、應用的比較完 整的研發與產業體系。2 008年,我國半導體照明產業產值已達 7 00億元,芯片國產化率接近 5 0%,企業總數突破 3000家。我國已成為 LED全彩屏、太陽能 LED燈、景觀照明等應用產品 世界最大的生產和出口國,以及國際重要的 LED器件封裝基地。我國半導體照明產業進入了 自主創新、實現跨越式發展的重大歷史機遇期,正迎來蓬勃發展的春天。預計2010年,產業規 模將達 10 00億元。 本書作者從事發光二極管科研和教學工作近4 0年,曾於 1 99 2年編著出版《半導體發光 材料和器件》一書,以信息顯示為主要內容。近2 0年的發展,LED發光效率提高了 10 0倍,特 別是藍光和白光 LED的發展,使之成為照明領域的新秀。半導體照明科研和產業的發展迫切 需要一本半導體照明技術方面的專著。本書從半導體發光器件和照明兩個角度,在介紹半導 體照明器件―――發光二極管的材料、機理及其製造技術的同時,詳細闡述了器件的光電參數測 試方法、器件的可靠性分析、驅動和控制方法,以及各種半導體照明的應用技術。 本書內容系統、全面,理論聯繫實際,重點突出了“半導體照明”主題,反映了國內外最新 的技術進展。書中有些內容也反映了作者及其同事們在這一領域的科研成果。 我們希望本書對半導體照明的研發和應用感興趣的相關人員有所幫助。本書可供高等學 校相關專業的教師和學生閱讀,也可供從事半導體照明研究和製造的科研人員和生產技術人 員參考。
國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長 吳玲
北京新材料科技促進中心主任 20 09年5月4日
第二版前言
2 01 4年10月7日,諾貝爾物理學獎揭曉,赤崎勇、天野浩、中村修二因發明“高亮度藍色 發光二極管”而榮獲瑞典皇家科學院授予的20 1 4年度諾貝爾物理學獎。頒獎詞稱:藍光 LED 的出現使得我們可以用全新的方式創造白光。隨著 LED燈的誕生,我們有了更加持久、更加 高效的新技術來取代古老的光源。白熾燈照亮2 0世紀,而LED燈將照亮21世紀。此次獲獎 是對半導體照明產業巨大價值予以的最大肯定,也是對我國半導體照明產業界的充分肯定和 莫大鼓舞。 我國自2003年6月啟動國家半導體照明工程以來,在薄弱的基礎上,努力拼搏,團結奮 進,建成了從上游材料、芯片到中、下游封裝應用,以及製造設備、測試儀器完整的產業鏈。 2 01 7年,半導體照明總產值達65 30億元,與通用照明啟動的半導體照明元年―――2 010年產值 的12 00億元相比增長了4 3倍。通用照明已占應用市場的47 9%,成為應用市場的第一驅動 力。已有四五家企業超過5 0億元營收規模,向1 00億元進軍。全年LED照明產品產量達1 06 億隻,同比增長34%。國內市場滲透率達6 5%。LED已成為主流光源。全年節電19 83億千 瓦時,全年出口達129億美元,國際市場上8 0%以上的產品產自中國。產業擁有MOCVD設備 超過17 00台,占國際擁有量首位,而且國內已有多家企業批量生產 MOCVD設備,並投入使 用。全套芯片、器件、燈具的自動化生產設備已能批量生產。我們已經成為半導體照明大國, 並且正在做強,照明強國雛形已現。我們已從早春二月,創造出陽春三月,正在創造LED照明 的四月豔陽天,從勝利走向輝煌,實現半導體照明的中國夢! 《半導體照明技術》自2 0 09年出版以來共印一萬多冊,深得讀者之厚愛。更值得欣慰的 是,書中所述各種技術已基本實現,僅有全LED白光和光子晶體這兩項技術尚待最後突破。 2 00 9年以來半導體照明產業的蓬勃發展,不僅充實和豐富了原書提出的技術內容,還出 現了許多如芯片級封裝(CSP)、智能燈具、COB組件、Mi c r o-LED等新技術和新產品,顯色指 數、中間視覺、色容差等研究成果也開始付諸應用,大量的 LED照明燈具開始進入千家萬戶, 而科研和產業的發展還有更大的空間,預計到20 2 0年左右,總產值將達萬億元。電子工業出 版社副總編輯趙麗松建議,對原版修改和增補,以新的面貌再版,使之更能反映當前該領域的 科技進步和最新科技成果,展示半導體照明研發和產業的發展方向。 本書可供半導體照明領域的科研人員和工程技術人員參考,也可作為高等院校相關專業 的教學參考書。 我對電子工業出版社的建議和鼎力支持深表感謝!限於時間倉促,書中不當和欠缺之處 在所難免,請讀者批評指正。 復旦大學 方志烈 20 18年3月於上海
半導體照明是指用全固態發光器件(發光二極管,即LED,是由半導體材料製成的光電器 件,可將電能轉換為光能)作為光源的照明,具有高效、節能、環保、壽命長、易維護等顯著特 點,是近年來全球最具發展前景的高新技術領域之一,是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之後 的又一場照明光源的革命。半導體照明有著巨大的市場與技術創新空間,對提升傳統照明工 業、帶動相關產業發展、擴大就業、培育新的經濟增長點意義重大。 自 20 03年 6月啟動國家半導體照明工程以來,以節能、環保,實現綠色照明,促進傳統照 明產業升級,培育有國際競爭力的半導體照明新興產業為目標,以“政府引導、企業主體、市場 化運作”為原則,經過幾年努力,已經形成了從上游材料、芯片到中、下游封裝、應用的比較完 整的研發與產業體系。2 008年,我國半導體照明產業產值已達 7 00億元,芯片國產化率接近 5 0%,企業總數突破 3000家。我國已成為 LED全彩屏、太陽能 LED燈、景觀照明等應用產品 世界最大的生產和出口國,以及國際重要的 LED器件封裝基地。我國半導體照明產業進入了 自主創新、實現跨越式發展的重大歷史機遇期,正迎來蓬勃發展的春天。預計2010年,產業規 模將達 10 00億元。 本書作者從事發光二極管科研和教學工作近4 0年,曾於 1 99 2年編著出版《半導體發光 材料和器件》一書,以信息顯示為主要內容。近2 0年的發展,LED發光效率提高了 10 0倍,特 別是藍光和白光 LED的發展,使之成為照明領域的新秀。半導體照明科研和產業的發展迫切 需要一本半導體照明技術方面的專著。本書從半導體發光器件和照明兩個角度,在介紹半導 體照明器件―――發光二極管的材料、機理及其製造技術的同時,詳細闡述了器件的光電參數測 試方法、器件的可靠性分析、驅動和控制方法,以及各種半導體照明的應用技術。 本書內容系統、全面,理論聯繫實際,重點突出了“半導體照明”主題,反映了國內外最新 的技術進展。書中有些內容也反映了作者及其同事們在這一領域的科研成果。 我們希望本書對半導體照明的研發和應用感興趣的相關人員有所幫助。本書可供高等學 校相關專業的教師和學生閱讀,也可供從事半導體照明研究和製造的科研人員和生產技術人 員參考。
國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長 吳玲
北京新材料科技促進中心主任 20 09年5月4日
第二版前言
2 01 4年10月7日,諾貝爾物理學獎揭曉,赤崎勇、天野浩、中村修二因發明“高亮度藍色 發光二極管”而榮獲瑞典皇家科學院授予的20 1 4年度諾貝爾物理學獎。頒獎詞稱:藍光 LED 的出現使得我們可以用全新的方式創造白光。隨著 LED燈的誕生,我們有了更加持久、更加 高效的新技術來取代古老的光源。白熾燈照亮2 0世紀,而LED燈將照亮21世紀。此次獲獎 是對半導體照明產業巨大價值予以的最大肯定,也是對我國半導體照明產業界的充分肯定和 莫大鼓舞。 我國自2003年6月啟動國家半導體照明工程以來,在薄弱的基礎上,努力拼搏,團結奮 進,建成了從上游材料、芯片到中、下游封裝應用,以及製造設備、測試儀器完整的產業鏈。 2 01 7年,半導體照明總產值達65 30億元,與通用照明啟動的半導體照明元年―――2 010年產值 的12 00億元相比增長了4 3倍。通用照明已占應用市場的47 9%,成為應用市場的第一驅動 力。已有四五家企業超過5 0億元營收規模,向1 00億元進軍。全年LED照明產品產量達1 06 億隻,同比增長34%。國內市場滲透率達6 5%。LED已成為主流光源。全年節電19 83億千 瓦時,全年出口達129億美元,國際市場上8 0%以上的產品產自中國。產業擁有MOCVD設備 超過17 00台,占國際擁有量首位,而且國內已有多家企業批量生產 MOCVD設備,並投入使 用。全套芯片、器件、燈具的自動化生產設備已能批量生產。我們已經成為半導體照明大國, 並且正在做強,照明強國雛形已現。我們已從早春二月,創造出陽春三月,正在創造LED照明 的四月豔陽天,從勝利走向輝煌,實現半導體照明的中國夢! 《半導體照明技術》自2 0 09年出版以來共印一萬多冊,深得讀者之厚愛。更值得欣慰的 是,書中所述各種技術已基本實現,僅有全LED白光和光子晶體這兩項技術尚待最後突破。 2 00 9年以來半導體照明產業的蓬勃發展,不僅充實和豐富了原書提出的技術內容,還出 現了許多如芯片級封裝(CSP)、智能燈具、COB組件、Mi c r o-LED等新技術和新產品,顯色指 數、中間視覺、色容差等研究成果也開始付諸應用,大量的 LED照明燈具開始進入千家萬戶, 而科研和產業的發展還有更大的空間,預計到20 2 0年左右,總產值將達萬億元。電子工業出 版社副總編輯趙麗松建議,對原版修改和增補,以新的面貌再版,使之更能反映當前該領域的 科技進步和最新科技成果,展示半導體照明研發和產業的發展方向。 本書可供半導體照明領域的科研人員和工程技術人員參考,也可作為高等院校相關專業 的教學參考書。 我對電子工業出版社的建議和鼎力支持深表感謝!限於時間倉促,書中不當和欠缺之處 在所難免,請讀者批評指正。 復旦大學 方志烈 20 18年3月於上海
目次
第1章光視覺顏色
11光
111光的本質
112光的產生和傳播
113人眼的光譜靈敏度
114光度學及其測量
12視覺
121作為光學系統的人眼
122視覺的特徵與功能
13顏色
131顏色的性質
132國際照明委員會色度學系統
133色度學及其測量
第2章光源
21自然光源
211太陽
212月亮和行星
22人工光源
221人工光源的發明與發展
222白熾燈
223鹵鎢燈
224熒光燈
225低壓鈉燈
226高壓放電燈
227無電極放電燈
228發光二極管
229照明的經濟核算
第3章半導體發光材料晶體導論
31晶體結構
311空間點陣
312晶面與晶向
313閃鋅礦結構、金剛石結構和纖鋅礦結構
314缺陷及其對發光的影響
32能帶結構
33半導體晶體材料的電學性質
331費米能級和載流子
332載流子的漂移和遷移率
333電阻率和載流子濃度
334壽命
34半導體發光材料的條件
341帶隙寬度合適
342可獲得電導率高的p型和n型晶體
343可獲得完整性好的優質晶體
344發光複合概率大
第4章半導體的激發與發光
41pn結及其特性
411理想的pn結
412實際的pn結
42注入載流子的複合
421複合的種類
422輻射型複合
423非輻射型複合
43輻射與非輻射複合之間的競爭
44異質結構和量子阱
441異質結構
442量子阱
第5章半導體發光材料體系
51砷化鎵
52磷化鎵
53磷砷化鎵
531GaAs060P040/GaAs
532晶體中的雜質和缺陷對發光效率的影響
54鎵鋁砷
55鋁鎵銦磷
56銦鎵氮
第6章半導體照明光源的發展和特徵參量
61發光二極管的發展
62發光二極管材料生長方法
63高亮度發光二極管芯片結構
631單量子阱(SQW)結構
632多量子阱(MQW)結構
633分佈布拉格反射(DBR)結構
634透明襯底技術(Transparent Substrate,TS)
635鏡面襯底(Mirror Substrate,MS)
636透明膠質黏結型
637表面紋理結構
64照明用LED的特徵參數和要求
641光通量
642發光效率
643顯色指數
644色溫
645壽命
646穩定性
647熱阻
648抗靜電性能
第7章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長
71磷砷化鎵氫化物氣相外延生長(HVPE)
72氫化物外延體系的熱力學分析
73液相外延原理
74磷化鎵的液相外延
741磷化鎵綠色發光材料外延生長
742磷化鎵紅色發光材料外延生長
75鎵鋁砷的液相外延
第8章鋁鎵銦磷發光二極管
81AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論
811源材料
812生長條件
813器件生長
82外延材料的規模生產問題
821反應器問題:輸送和排空處理
822均勻性的重要性
823源的質量問題
824顏色控制問題
825生產損耗問題
83電流擴展
831歐姆接觸的改進
832p型襯底上生長
833電流擴展窗層
834氧化銦錫(ITO)
84電流阻擋結構
85光的取出
851上窗設計
852襯底吸收
853分佈布拉格反射LED
854GaP晶片黏結透明襯底LED
855膠質黏著(藍寶石晶片黏結)
856紋理表面結構
86芯片製造技術
87器件特性
第9章銦鎵氮發光二極管
91GaN生長
911未摻雜GaN
912n型GaN
913p型GaN
914GaN pn結LED
92InGaN生長
921未摻InGaN
922摻雜InGaN
93InGaN LED
931InGaN/GaN雙異質結LED
932InGalGaN雙異質結LED
933InGaN單量子阱(SQW)結構LED
934高亮度綠色和藍色LED
935InGaN多量子阱(MQW)結構LED
936紫外LED
937AlGaN深紫外LED
938矽襯底GaN藍光LED
94提高質量和降低成本的幾個重要技術問題
941襯底
942緩衝層
943激光剝離(LLO)
944氧化銦錫(ITO)
945表面紋理結構
946圖形襯底技術(PSS)
947微矩陣發光二極管(MALED)
948光子晶體(Photonic Crystal,PC)LED
949金屬垂直光子LED(MVP LED)
第10章LED芯片製造技術
101光刻技術
102氮化矽生長
103擴散
104歐姆接觸電極
105ITO透明電極
106表面粗化
107光子晶體
108激光剝離(Laser Liftoff,LLO)
109倒裝芯片技術
1010垂直結構芯片技術
1011芯片的切割
1012LED芯片結構的發展
第11章白光發光二極管
111新世紀光源的研製目標
112人造白光的最佳化
1121發光效率和顯色性的折中
1122二基色體系
1123多基色體系
113熒光粉轉換白光LED
1131二基色熒光粉轉換白光LED
1132多基色熒光粉轉換白光LED
1133紫外LED激發多基色熒光粉
114多芯片白光LED
1141二基色多芯片白光LED
1142多基色多芯片白光LED
第12章LED封裝技術
121LED器件的設計
1211設計原則
1212電學設計
1213熱學設計
1214光學設計
1215視覺因素
122LED封裝技術
1221小功率LED封裝
1222SMD LED的封裝
1223芯片級封裝(CSP)
1224大電流LED的封裝
1225功率LED的封裝
1226功率LED組件
1227銦鎵氮類LED的防靜電措施
第13章發光二極管的測試
131發光器件的效率
1311發光效率
1312功率效率
1313量子效率
132電學參數
1321伏安特性
1322總電容
133光電特性參數――光電響應特性
134光度學參數
1341法向光強I0的測定
1342發光強度角分佈(半強度角和偏差角)
1343總光通量的測量
1344量值傳遞
135色度學參數
1351光譜分佈曲線
1352光電積分法測量色度坐標
136熱學參數(結溫、熱阻)
137靜電耐受性
第14章發光二極管的可靠性
141LED可靠性概念
1411可靠性的含義
1412可靠度的定義
1413LED可靠性的相關概念
142LED的失效分析
1421芯片的退化
1422環氧系塑料的壽命分析
1423管芯的壽命分析
1424熒光粉的退化
143可靠性試驗
1431小功率LED環境試驗
1432功率LED環境試驗
144壽命試驗
1441磷化鎵發光器件的壽命試驗
1442功率LED(白光)長期工作壽命試驗
1443加速壽命試驗
145可靠性篩選
1451功率老化
1452高溫老化
1453濕度試驗
1454高低溫循環
1455其他項目的選用
146例行試驗和鑒定驗收試驗
1461例行試驗
1462鑒定驗收試驗
第15章有機發光二極管
151有機發光二極管材料
1511小分子有機物
1512高分子聚合物
1513鑭系金屬有機化合物
152有機發光二極管的結構和原理
153OLED實現白光的途徑
1531波長轉換
1532顏色混合
154有機發光二極管的驅動
155有機發光二極管研發現狀
第16章半導體照明驅動和控制
161LED驅動技術
1611LED的電學性能特點
1612電源驅動方案
1613驅動電路基本方案
1614LED驅動器的特性
1615LED與驅動器的匹配
162LED驅動器
1621電容降壓式LED驅動器
1622電感式LED驅動器
1623電荷泵式LED驅動器
1624LED恒流驅動器
163LED集成驅動電路
1631電荷泵驅動LED的典型電路
1632開關式DC/DC變換器驅動LED的典型電路
1633限流開關TPS2014/TPS2015
1634六路串聯白光LED驅動電路MAX8790
1635集成肖特基二極管的恒流白光LED驅動器LT3591
1636低功耗高亮度LED驅動器LM3404
1637具有診斷功能的16通道LED驅動器AS1110
1638高壓線性恒流LED驅動電路
164控制技術
1641調光
1642調色
1643調色溫
1644智能照明
第17章半導體照明應用
171半導體照明應用產品開發原則
1711要從LED的優點出發開發應用產品
1712應用產品市場啟動的判據――照明成本
1713應用產品的技術關鍵是散熱
1714遵循功率由低到高、技術由易到難的原則
1715造型設計要創新
1716照明燈具通則
172LED顯示屏
1721總體發展規模
1722產品技術完善
1723新品繼續拓展
173交通信號燈
1731道路交通信號燈
1732鐵路信號燈
1733機場信號燈
1734航標燈
1735路障燈
1736航空障礙燈
174景觀照明
1741城市景觀照明的功能作用
1742光源選擇
11光
111光的本質
112光的產生和傳播
113人眼的光譜靈敏度
114光度學及其測量
12視覺
121作為光學系統的人眼
122視覺的特徵與功能
13顏色
131顏色的性質
132國際照明委員會色度學系統
133色度學及其測量
第2章光源
21自然光源
211太陽
212月亮和行星
22人工光源
221人工光源的發明與發展
222白熾燈
223鹵鎢燈
224熒光燈
225低壓鈉燈
226高壓放電燈
227無電極放電燈
228發光二極管
229照明的經濟核算
第3章半導體發光材料晶體導論
31晶體結構
311空間點陣
312晶面與晶向
313閃鋅礦結構、金剛石結構和纖鋅礦結構
314缺陷及其對發光的影響
32能帶結構
33半導體晶體材料的電學性質
331費米能級和載流子
332載流子的漂移和遷移率
333電阻率和載流子濃度
334壽命
34半導體發光材料的條件
341帶隙寬度合適
342可獲得電導率高的p型和n型晶體
343可獲得完整性好的優質晶體
344發光複合概率大
第4章半導體的激發與發光
41pn結及其特性
411理想的pn結
412實際的pn結
42注入載流子的複合
421複合的種類
422輻射型複合
423非輻射型複合
43輻射與非輻射複合之間的競爭
44異質結構和量子阱
441異質結構
442量子阱
第5章半導體發光材料體系
51砷化鎵
52磷化鎵
53磷砷化鎵
531GaAs060P040/GaAs
532晶體中的雜質和缺陷對發光效率的影響
54鎵鋁砷
55鋁鎵銦磷
56銦鎵氮
第6章半導體照明光源的發展和特徵參量
61發光二極管的發展
62發光二極管材料生長方法
63高亮度發光二極管芯片結構
631單量子阱(SQW)結構
632多量子阱(MQW)結構
633分佈布拉格反射(DBR)結構
634透明襯底技術(Transparent Substrate,TS)
635鏡面襯底(Mirror Substrate,MS)
636透明膠質黏結型
637表面紋理結構
64照明用LED的特徵參數和要求
641光通量
642發光效率
643顯色指數
644色溫
645壽命
646穩定性
647熱阻
648抗靜電性能
第7章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長
71磷砷化鎵氫化物氣相外延生長(HVPE)
72氫化物外延體系的熱力學分析
73液相外延原理
74磷化鎵的液相外延
741磷化鎵綠色發光材料外延生長
742磷化鎵紅色發光材料外延生長
75鎵鋁砷的液相外延
第8章鋁鎵銦磷發光二極管
81AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論
811源材料
812生長條件
813器件生長
82外延材料的規模生產問題
821反應器問題:輸送和排空處理
822均勻性的重要性
823源的質量問題
824顏色控制問題
825生產損耗問題
83電流擴展
831歐姆接觸的改進
832p型襯底上生長
833電流擴展窗層
834氧化銦錫(ITO)
84電流阻擋結構
85光的取出
851上窗設計
852襯底吸收
853分佈布拉格反射LED
854GaP晶片黏結透明襯底LED
855膠質黏著(藍寶石晶片黏結)
856紋理表面結構
86芯片製造技術
87器件特性
第9章銦鎵氮發光二極管
91GaN生長
911未摻雜GaN
912n型GaN
913p型GaN
914GaN pn結LED
92InGaN生長
921未摻InGaN
922摻雜InGaN
93InGaN LED
931InGaN/GaN雙異質結LED
932InGalGaN雙異質結LED
933InGaN單量子阱(SQW)結構LED
934高亮度綠色和藍色LED
935InGaN多量子阱(MQW)結構LED
936紫外LED
937AlGaN深紫外LED
938矽襯底GaN藍光LED
94提高質量和降低成本的幾個重要技術問題
941襯底
942緩衝層
943激光剝離(LLO)
944氧化銦錫(ITO)
945表面紋理結構
946圖形襯底技術(PSS)
947微矩陣發光二極管(MALED)
948光子晶體(Photonic Crystal,PC)LED
949金屬垂直光子LED(MVP LED)
第10章LED芯片製造技術
101光刻技術
102氮化矽生長
103擴散
104歐姆接觸電極
105ITO透明電極
106表面粗化
107光子晶體
108激光剝離(Laser Liftoff,LLO)
109倒裝芯片技術
1010垂直結構芯片技術
1011芯片的切割
1012LED芯片結構的發展
第11章白光發光二極管
111新世紀光源的研製目標
112人造白光的最佳化
1121發光效率和顯色性的折中
1122二基色體系
1123多基色體系
113熒光粉轉換白光LED
1131二基色熒光粉轉換白光LED
1132多基色熒光粉轉換白光LED
1133紫外LED激發多基色熒光粉
114多芯片白光LED
1141二基色多芯片白光LED
1142多基色多芯片白光LED
第12章LED封裝技術
121LED器件的設計
1211設計原則
1212電學設計
1213熱學設計
1214光學設計
1215視覺因素
122LED封裝技術
1221小功率LED封裝
1222SMD LED的封裝
1223芯片級封裝(CSP)
1224大電流LED的封裝
1225功率LED的封裝
1226功率LED組件
1227銦鎵氮類LED的防靜電措施
第13章發光二極管的測試
131發光器件的效率
1311發光效率
1312功率效率
1313量子效率
132電學參數
1321伏安特性
1322總電容
133光電特性參數――光電響應特性
134光度學參數
1341法向光強I0的測定
1342發光強度角分佈(半強度角和偏差角)
1343總光通量的測量
1344量值傳遞
135色度學參數
1351光譜分佈曲線
1352光電積分法測量色度坐標
136熱學參數(結溫、熱阻)
137靜電耐受性
第14章發光二極管的可靠性
141LED可靠性概念
1411可靠性的含義
1412可靠度的定義
1413LED可靠性的相關概念
142LED的失效分析
1421芯片的退化
1422環氧系塑料的壽命分析
1423管芯的壽命分析
1424熒光粉的退化
143可靠性試驗
1431小功率LED環境試驗
1432功率LED環境試驗
144壽命試驗
1441磷化鎵發光器件的壽命試驗
1442功率LED(白光)長期工作壽命試驗
1443加速壽命試驗
145可靠性篩選
1451功率老化
1452高溫老化
1453濕度試驗
1454高低溫循環
1455其他項目的選用
146例行試驗和鑒定驗收試驗
1461例行試驗
1462鑒定驗收試驗
第15章有機發光二極管
151有機發光二極管材料
1511小分子有機物
1512高分子聚合物
1513鑭系金屬有機化合物
152有機發光二極管的結構和原理
153OLED實現白光的途徑
1531波長轉換
1532顏色混合
154有機發光二極管的驅動
155有機發光二極管研發現狀
第16章半導體照明驅動和控制
161LED驅動技術
1611LED的電學性能特點
1612電源驅動方案
1613驅動電路基本方案
1614LED驅動器的特性
1615LED與驅動器的匹配
162LED驅動器
1621電容降壓式LED驅動器
1622電感式LED驅動器
1623電荷泵式LED驅動器
1624LED恒流驅動器
163LED集成驅動電路
1631電荷泵驅動LED的典型電路
1632開關式DC/DC變換器驅動LED的典型電路
1633限流開關TPS2014/TPS2015
1634六路串聯白光LED驅動電路MAX8790
1635集成肖特基二極管的恒流白光LED驅動器LT3591
1636低功耗高亮度LED驅動器LM3404
1637具有診斷功能的16通道LED驅動器AS1110
1638高壓線性恒流LED驅動電路
164控制技術
1641調光
1642調色
1643調色溫
1644智能照明
第17章半導體照明應用
171半導體照明應用產品開發原則
1711要從LED的優點出發開發應用產品
1712應用產品市場啟動的判據――照明成本
1713應用產品的技術關鍵是散熱
1714遵循功率由低到高、技術由易到難的原則
1715造型設計要創新
1716照明燈具通則
172LED顯示屏
1721總體發展規模
1722產品技術完善
1723新品繼續拓展
173交通信號燈
1731道路交通信號燈
1732鐵路信號燈
1733機場信號燈
1734航標燈
1735路障燈
1736航空障礙燈
174景觀照明
1741城市景觀照明的功能作用
1742光源選擇
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