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ESD物理與器件（簡體書）
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本書系統地介紹了靜電放電（ESD）物理理論及器件設計，并給出了大量實例，將ESD理論工程化。本書主要內容有：ESD中的靜電及熱電物理學理論及模型，ESD用半導體器件物理及結構，ESD中襯底、阱、隔離結構，電介質、互連及SOI等相關技術及應用。
本書為作者的ESD系列專著的第一本，對于專業模擬集成電路及射頻集成電路設計工程師，以及系統ESD工程師具有較高的參考價值。本書可以作為電路設計、工藝、質量、可靠性和誤差分析工程師的工具書，也可以作為電子科學與技術、微電子科學與工程和集成電路設計，尤其是模擬集成電路設計及射頻集成電路設計專業高年級本科生及研究生的參考書。
本書為作者的ESD系列專著的第一本，對于專業模擬集成電路及射頻集成電路設計工程師，以及系統ESD工程師具有較高的參考價值。本書可以作為電路設計、工藝、質量、可靠性和誤差分析工程師的工具書，也可以作為電子科學與技術、微電子科學與工程和集成電路設計，尤其是模擬集成電路設計及射頻集成電路設計專業高年級本科生及研究生的參考書。
作者簡介
StevenH．Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工藝下的靜電放電(ESD)保護方面所作出的貢獻，而成為了ESD領域的第一位IEEEFellow。他于1979年在布法羅大學獲得了工程學學士學位；并于1981年在麻省理工學院(MIT)獲得了電子工程方向的碩士學位；以后又在MIT獲得第二個電子工程學位(工程碩士學位)；1986年他在IBM的駐地研究員計劃下從佛蒙特大學獲得了工程物理學碩士學位，并于1991年從該校獲得了電子工程的博士學位。他作為IBM開發團隊的一員已有25年的歷史，主要致力于半導體器件物理、器件設計和可靠性[如軟失效率(SER)、熱電子、漏電機制、閂鎖和ESD]的研究工作。Voldman博士參與到閂鎖技術的研發已有27年之久。他的工作主要針對用于雙極型SRAM、CMOSDRAM、CMOS邏輯、SOI、BiCMOS、SiGe、RFCMOS、RFSOI、智能電源和圖像處理技術中的工藝和電路設計的研究。在2008年，他成為了奇夢達DRAM開發團隊的一員，從事70nm、58nm和48nmCMOS工藝的研究。同年，他成立了一個有限責任公司，并作為臺積電45mnESD和閂鎖開發團隊的一部分在其總部中國臺灣新竹工作。目前他作為ESD和閂鎖研發的高級首席工程師效力于Intersil公司。
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作者簡介譯者序前言致謝第1章 靜電和熱電物理學 1.1 引言 1.2 時間常數法 1.2.1 ESD時間常數 1.2.2 時間常數的層次結構 1.2.3 熱學時間常數
作者簡介譯者序前言致謝第1章 靜電和熱電物理學 1.1 引言 1.2 時間常數法 1.2.1 ESD時間常數 1.2.2 時間常數的層次結構 1.2.3 熱學時間常數 1.2.4 熱擴散 1.2.5 絕熱、熱擴散的時間尺度和穩定狀態 1.2.6 電準靜態場和磁準靜態場 1.3 不穩定性 1.3.1 電氣不穩定性 1.3.2 熱電不穩定性 1.3.3 空間不穩定性與電流收縮 1.4 擊穿 1.4.1 帕邢擊穿理論 1.4.2 湯森理論 1.4.3 托普勒定律 1.5 雪崩擊穿 1.5.1 空氣擊穿 1.5.2 空氣擊穿和峰值電流 1.5.3 空氣擊穿和上升時間 1.5.4 中等離子體和微等離子體 1.5.5 中等離子體現象 習題 參考文獻第2章 熱電方法和ESD模型 2.1 熱電方法 2.1.1 格林函數和鏡像方法 2.1.2 熱傳導方程的積分變換 2.1.3 流勢傳遞關系矩陣方法學 2.1.4 可變熱導率熱方程 2.1.5 Duhamel公式 2.2 電熱模型 2.2.1 Tasca模型 2.2.2 Wunsch-Bell模型 2.2.3 Smith-Littau 模型 2.2.4 Arkhipov-Astvatsaturyan-Godovosyn-Rudenko模型 2.2.5 Vlasov-Sinkevitch模型 2.2.6 Dwyer-Franklin-Campbell模型 2.2.7 Greve模型 2.2.8 負微分電阻模型 2.2.9 Ash模型 2.2.10 統計模型 習題 參考文獻第3章 半導體器件和ESD 3.1 器件物理 3.1.1 非等溫仿真 3.2 二極管 3.2.1 二極管方程 3.2.2 復合和產生機制 3.3 雙極型大電流器件的物理 3.3.1 雙極型晶體管特性方程 3.3.2 基區擴展效應（Kirk Effect） 3.3.3 Johnson 限制 3.4 晶閘管 3.4.1 再生反饋 3.5 電阻 3.6 MOSFET大電流器件物理 3.6.1 寄生雙極型晶體管方程 3.6.2 雪崩擊穿和恢復 3.6.3 不穩定和電流約束模型 3.6.4 介質擊穿 3.6.5 柵致漏電（GIDL） 習題 參考文獻第4章 襯底和ESD 4.1 襯底分析方法 4.2 視作半無限域的襯底 4.3 采用傳輸矩陣方法表征層狀介質的襯底 4.4 襯底傳輸線模型 4.5 襯底損耗的傳輸線模型 4.6 襯底吸收、反射和傳輸 4.7 襯底電氣和溫度離散化 4.8 襯底效應：電氣傳輸阻抗 4.9 襯底效應：熱傳輸阻抗 4.10 襯底溫度阻抗模型 4.10.1 可變橫截面模型 4.10.2 可變橢圓橫截面模型 4.10.3 背面襯底集總分析模型 4.11 重摻雜襯底 4.12 輕摻雜襯底 習題 參考文獻第5章 阱、襯底集電極和ESD 5.1 擴散阱 5.2 倒阱及縱向調制的阱 5.2.1 倒阱 5.2.2 倒阱襯底調制 5.2.3 倒阱及ESD縮放 5.3 三阱及隔離的 5.4 整流電阻 5.5 襯底集電極 習題 參考文獻第6章 隔離結構和ESD 6.1 隔離結構 6.1.1 局部氧化（LOCOS）隔離 6.1.2 局部氧化（LOCOS）界ESD結構 6.2 淺溝隔離 6.2.1 淺溝隔離下拉 6.2.2 淺溝隔離界ESD結構 6.3 深溝隔離 6.3.1 深溝保護環結構 6.3.2 深溝及閂鎖 6.3.3 深溝及ESD結構 習題 參考文獻第7章 漏工程、自對準硅化物與ESD 7.1 結 7.1.1 突變結 7.1.2 低摻雜漏 7.1.3 擴展注入 7.2 自對準硅化物及ESD 7.2.1 自對準硅化物電阻模型 7.2.2 硅化鈦 7.2.3 鈦、鉬金屬硅化物 7.2.4 硅化鈷 習題 參考文獻第8章 電介質與ESD 8.1 Fong和Hu模型 8.2 Lin模型 8.3 擊穿電荷 8.4 臨界介質厚度 8.5 ESD脈沖事件與擊穿電荷介電模型 8.6 瞬時脈沖事件與擊穿電荷介電模型 8.7 超薄介質 習題 參考文獻第9章 互連和ESD 9.1 鋁互連 9.2 銅互連 9.2.1 銅通孔 9.3 低k材料和互連 9.4 拋光終止和互連 9.5 填充物和互連 9.6 銅薄膜應力和電遷移 9.7 互連故障和空洞 9.8 絕緣結構機械應力 習題 參考文獻第10章 絕緣體上硅（SOI）與ESD 10.1 SOI的電熱模型 10.1.1 SOI電熱傳輸線模型 10.1.2 SOI電熱傳輸線模型級數解 10.2 SOI ESD二極管及元件 10.2.1 突變結工藝 10.2.2 外延注入工藝 10.2.3 Halo注入技術 10.3 SOI的互連線 10.3.1 鋁互連線 10.3.2 SOI和銅互連 10.3.3 等比例縮放 10.4 非主流器件 10.4.1 雙襯底摻雜的SOI二極管 10.4.2 柵金屬未覆蓋SOI二極管結構 10.5 SOI動態閾值MOSFET與 10.5.1 SOI動態閾值的ESD結構 10.6 未來的SOI及ESD 習題 參考文獻第11章 硅鍺與ESD 11.1 Si-Ge 11.1.1 SiGe結構 11.1.2 SiGe器件物理 11.2 SiGe ESD測試 11.2.1 SiGe與Si的比較 11.2.2 SiGe電熱模擬：集電極-發射極 11.2.3 SiGe發射器-發射極-基極 11.3 Si-Ge-C 11.3.1 Si-Ge-C器件物理 11.4 Si-Ge-C ESD測試 11.4.1 SiGeC集電極-發射極測試 11.4.2 SiGeC器件退化 習題 參考文獻第12章 微結構與ESD 12.1 FinFET（鰭式晶體管） 12.2 應變硅器件與ESD 12.3 納米管與ESD 12.4 未來新器件 習題 參考文獻
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