商品簡介
本書的編寫以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材而開展。全書共分六章；開宗明義的第一章旨在介紹給讀者以半導體、IC產品製程、及基本可靠度的知識與觀念。第二章，則從統計與物理兩個面向，致力於幾個對IC產品可用的可靠度壽命分佈模型來解說。第三章，深入淺出地介紹與IC元件有關的幾個基本可靠度問題。第四章，介紹有關後段封裝所可能引起的其它可靠度問題。現今IC業界，為了保證產品的可靠度，從晶圓，到封裝的製程，都有一套公認的可靠度認證過程。特別將認證過程公認的主要規定闡述於第五章。最後，於第六章，介紹對失效品的故障分析。從分析儀器及技術、常見的故障原因，到如何減低故障發生率的未來方向都有精簡的敘述。
本書適合作為電子、電機工程及相關科系研究生教科書，半導體IC業界從業工程師參考書。相關理工科系的大學部學生，如有志於半導體IC一行為業，以本書作為進階的參考書，當亦有所牌益。
作者簡介
學歷：美國Chicago大學物理學博士
經歷：
台灣大學物理學系教授
半導體工業界經驗近30年：任職於Texas Instruments,Motorola,UMC,ISSI等半導體公司
IEEE Journals／IRPS 論文審查委員/技術委員會委員
著作：
國際學術期刊／會議論文發表60多篇
美台專利權36件
中文書《基礎力學》(2003出版)
翻譯Sander Bais著Very Special Relativity 一書
譯名《圖解愛因斯坦相對論》(即將出版)
目次
第1章 緒 論
1.1 半導體
1.2 半導體 IC 產品的製造流程
1.3 基本可靠度觀念
1.4 產品可用壽命
參考文獻
第2章 可靠度壽命分布模型
2.1 指數分布模型
2.2 常態與對數常態分布模型
2.2.1 常態分布模型
2.2.2 對數常態分布模型
2.3 韋伯分布（Weibull distribution）模型
2.4 浴缸曲線（bathtub curve）
2.4.1 早夭期（infant mortality period）
2.4.2 有用生命期（useful life period）
參考文獻
第3章 半導體 IC 元件的基本可靠度問題
3.1 介電質的崩潰（dieletric breakdown）
3.2 電晶體的不穩定度
3.2.1 離子污染
3.2.2 熱載子射入
3.2.3 負偏壓溫度不穩定度（NBTI）
3.3 金屬導體的電遷移（electromigra-tion，簡稱 EM）
3.4 靜電放電引起的潛藏性傷害
3.5 CMOS 寄生雙載子電晶體引起的電路閂鎖及其傷害
3.6 粒子造成的軟性錯誤（soft error）
參考文獻
第4章 半導體 IC 封裝的可靠度問題
4.1 封裝或晶粒的裂開
4.2 金屬導線的腐蝕
4.3 連接線的脫落
4.4 封裝主要可靠度問題的表列
4.5 封裝可靠度測試
參考文獻
第5章 半導體 IC 產品量產的認證過程
5.1 量產前可靠度認證的一般規格
5.2 晶粒可靠度認證測試
5.2.1 元件可靠度認證測試
5.2.2 產品可靠度認證測試
5.3 封裝可靠度認證測試
5.4 比較嚴格的車規認證
參考文獻
第6章 故障分析
6.1 故障分析的工具／技術
6.2 電性與物性故障分析
6.3 常見的故障模態／機制
6.4 減少故障率的未來方向
參考文獻
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