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商品簡介
目次
商品簡介
在顯示技術領域，以液晶顯示（LCD）為代表的平板顯示（FPD）已經取代傳統的、體積笨重的CRT顯示并占據主流地位，涵蓋了從手機到大尺寸電視在內的各種顯示應用領域。薄膜晶體管（TFT）已經成為電子平板顯示行業的核心部件。本書闡述了基於氫化非晶硅和多晶硅的薄膜晶體管的發展、性質、製造工藝、圖案化及器件性能，同時強調了基於有機、有機-無機雜化半導體材料的新的、替代性及潛在突破性的技術。
本書對我國讀者了解國外TFT發展的背景、趨勢和最新研究成果是十分有益的，是TFT相關的工程師、研究人員及相關專業教師和學生的非常有價值的參考書。
本書對我國讀者了解國外TFT發展的背景、趨勢和最新研究成果是十分有益的，是TFT相關的工程師、研究人員及相關專業教師和學生的非常有價值的參考書。
目次
第1章 薄膜晶體管的發展歷程
1.1 引言
1.2 20世紀30年代
1.3 20世紀40年代
1.4 20世紀50年代
1.5 20世紀60年代
1.6 20世紀70年代
1.7 20世紀80年代
1.8 20世紀90年代
1.9 總結
參考文獻
第2章 氫化非晶硅薄膜晶體管的制備與性能
2.1 氫化非晶硅薄膜晶體管簡介
2.2 氫化非晶硅薄膜晶體管的基本特性
2.2.1 線性區
2.2.2 飽和區
2.3 氫化非晶硅薄膜晶體管的結構劃分
2.3.1 反交疊型氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.2 交疊型氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.3 短溝道氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.4 共面型氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.5 高電壓氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.4 用于高性能a-Si：H TFT中的PECVD材料制備
2.4.1 用PECVD沉積a-Si：H薄膜
2.4.2 用PECVD沉積SiNx薄膜
2.4.3 用PECVI]沉積n+a-Si：H薄膜
2.4.4 界面特性的改善
2.5 塑料襯底上的氫化非晶硅薄膜晶體管
2.5.1 低溫沉積
2.5.2 塑料襯底上的氣體阻擋層
2.5.3 應力影響
參考文獻
第3章 氫化非晶硅薄膜晶體管
3.1 前言
3.2 氫化非晶硅薄膜晶體管的數值模擬
3.2.1 模擬氫化非晶硅薄膜晶體管的模型
3.2.2 氫化非晶硅薄膜晶體管的溫度影響
3.2.3 光照下的氫化非晶硅薄膜晶體管的特性
3.3 氫化非晶硅薄膜晶體管的特性
3.3.1 薄膜晶體管特性的標準化
3.3.2 氫化非晶硅薄膜晶體管電學參數的提取
3.3.3 氫化非晶硅薄膜晶體管的源漏串聯電阻
3.3.4 柵極化的四探針氫化非晶硅薄膜晶體管
3.3.5 氫化非晶硅薄膜厚度的影響
3.3.6 光照下氫化非晶硅薄膜晶體管的特性
3.4 先進的氫化非晶硅薄膜晶體管結構
3.4.1 高性能的背溝道刻蝕型氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.2 柵平面化的氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.3 總線掩埋的氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.4 全自對準氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.5 頂柵氫化非晶硅薄膜晶體管
3.5 氫化非晶硅薄膜晶體管電學性能的不穩定性
3.6 結論
參考文獻
第4章 多晶硅薄膜晶體管
4.1 引言
4.2 AMLCD和LTPS TFT LCD概述
4.2.1 集成周邊驅動電路的LTPsTFT的要求
4.2.2 有源矩陣尋址的薄膜晶體管的要求
4.3 硅薄膜沉積方法
4.4 非晶硅晶化
4.4.1 固相晶化
4.4.2 準分子激光晶化
4.4.3 晶化技術的發展趨勢
4.5 柵絕緣層形成
4.6 摻雜與激活
4.7 典型的多晶硅薄膜晶體管的製造工藝流程
參考文獻
第5章 薄膜晶體管在有源矩陣液晶顯示中的應用
5.1 有源矩陣的設計與製造
5.1.1 AMLCD中TFT和陣列要求
5.1.2 存儲電容結構
5.1.3 電過應力(EOS)與靜電放電(ESD)保護
5.1.4 陣列測試
5.1.5 TFT陣列中的缺陷與修復
5.2 顯示系統問題
5.2.1 TFT有源矩陣驅動方案
5.2.2 顯示驅動芯片
5.2.3 集成驅動器和功能
5.2.4 系統電子的要求
5.3 先進的高分辨率、高性能和大面積的AMLCD
參考文獻
第6章 基於有機材料的薄膜晶體管
6.1 背景介紹
6.2 基本原理和工作模式
6.3 有機半導體的范圍和局限
6.4 器件材料和結果
6.4.1 電化學聚合的聚噻酚
6.4.2 真空沉積的低聚噻酚并五苯及其他小分子
6.4.3 六噻酚和并五苯的單晶
6.4.4 溶液加工的聚烷基噻酚
6.4.5 基於印刷技術的全有機器件
6.4.6 n型半導體
6.4.7 絕緣層對載流子遷移率的影響
6.5 結論
參考文獻
第7章 基於小分子的真空沉積有機薄膜場效應晶體管
7.1 背景介紹
7.2 利用有機分子真空升華制備OTFr的方法
7.3 小分子有機半導體電荷傳輸機制
7.4 有機晶體管的操作和模擬
7.5 有機晶體管的性能
7.5.1 p型OTFT的性能
7.5.2 形態學與電學性質的關係
7.5.3 遷移率對柵電壓的依賴
7.5.4 器件構型對并五苯晶體管性能的影響
7.5.5 n型OTFT性能的進展
7.6 結論及展望
參考文獻
第8章 有機晶體管：材料、圖案化技術及其應用
8.1 簡介
8.2 有機半導體
8.2.1 線性稠環
8.2.2 二維稠環化合物
8.2.3 聚合半導體
8.3 夾層電介質
8.4 圖案化技術
8.4.1 絲網印刷
8.4.2 微膠束模型
8.4.3 微接觸印刷
8.4.4 近場光刻
8.5 塑料薄膜晶體管在柔性顯示和邏輯電路中的應用
8.5.1 電子紙張顯示器
8.5.2 邏輯電路
8.6 結論
致謝
參考文獻
第9章 基於溶解加工和直接印刷技術構建的聚合物晶體管電路
9.1 背景介紹
9.2 歷史的觀點
9.3 器件物理學
9.4 經過聚合物自組織增加遷移率
9.5 聚合物晶體管電路的直接噴墨印刷
9.6 應用
9.6.1 有源矩陣顯示器
9.6.2 識別標簽
9.6.3 全聚合物光電子集成電路
9.7 結論
參考文獻
第10章 基於有機.無機雜化材料的薄膜晶體管
10.1 背景介紹
10.2 鈣鈦礦結構的雜化物
10.3 薄膜沉積和圖案化
10.3.1 溶液加工
10.3.2 插入反應
10.3.3 熱蒸發
10.3.4 圖案化
10.4 薄膜晶體管
10.5 結論
參考文獻
1.1 引言
1.2 20世紀30年代
1.3 20世紀40年代
1.4 20世紀50年代
1.5 20世紀60年代
1.6 20世紀70年代
1.7 20世紀80年代
1.8 20世紀90年代
1.9 總結
參考文獻
第2章 氫化非晶硅薄膜晶體管的制備與性能
2.1 氫化非晶硅薄膜晶體管簡介
2.2 氫化非晶硅薄膜晶體管的基本特性
2.2.1 線性區
2.2.2 飽和區
2.3 氫化非晶硅薄膜晶體管的結構劃分
2.3.1 反交疊型氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.2 交疊型氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.3 短溝道氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.4 共面型氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.3.5 高電壓氫化非晶硅薄膜晶體管的結構
2.4 用于高性能a-Si：H TFT中的PECVD材料制備
2.4.1 用PECVD沉積a-Si：H薄膜
2.4.2 用PECVD沉積SiNx薄膜
2.4.3 用PECVI]沉積n+a-Si：H薄膜
2.4.4 界面特性的改善
2.5 塑料襯底上的氫化非晶硅薄膜晶體管
2.5.1 低溫沉積
2.5.2 塑料襯底上的氣體阻擋層
2.5.3 應力影響
參考文獻
第3章 氫化非晶硅薄膜晶體管
3.1 前言
3.2 氫化非晶硅薄膜晶體管的數值模擬
3.2.1 模擬氫化非晶硅薄膜晶體管的模型
3.2.2 氫化非晶硅薄膜晶體管的溫度影響
3.2.3 光照下的氫化非晶硅薄膜晶體管的特性
3.3 氫化非晶硅薄膜晶體管的特性
3.3.1 薄膜晶體管特性的標準化
3.3.2 氫化非晶硅薄膜晶體管電學參數的提取
3.3.3 氫化非晶硅薄膜晶體管的源漏串聯電阻
3.3.4 柵極化的四探針氫化非晶硅薄膜晶體管
3.3.5 氫化非晶硅薄膜厚度的影響
3.3.6 光照下氫化非晶硅薄膜晶體管的特性
3.4 先進的氫化非晶硅薄膜晶體管結構
3.4.1 高性能的背溝道刻蝕型氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.2 柵平面化的氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.3 總線掩埋的氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.4 全自對準氫化非晶硅薄膜晶體管
3.4.5 頂柵氫化非晶硅薄膜晶體管
3.5 氫化非晶硅薄膜晶體管電學性能的不穩定性
3.6 結論
參考文獻
第4章 多晶硅薄膜晶體管
4.1 引言
4.2 AMLCD和LTPS TFT LCD概述
4.2.1 集成周邊驅動電路的LTPsTFT的要求
4.2.2 有源矩陣尋址的薄膜晶體管的要求
4.3 硅薄膜沉積方法
4.4 非晶硅晶化
4.4.1 固相晶化
4.4.2 準分子激光晶化
4.4.3 晶化技術的發展趨勢
4.5 柵絕緣層形成
4.6 摻雜與激活
4.7 典型的多晶硅薄膜晶體管的製造工藝流程
參考文獻
第5章 薄膜晶體管在有源矩陣液晶顯示中的應用
5.1 有源矩陣的設計與製造
5.1.1 AMLCD中TFT和陣列要求
5.1.2 存儲電容結構
5.1.3 電過應力(EOS)與靜電放電(ESD)保護
5.1.4 陣列測試
5.1.5 TFT陣列中的缺陷與修復
5.2 顯示系統問題
5.2.1 TFT有源矩陣驅動方案
5.2.2 顯示驅動芯片
5.2.3 集成驅動器和功能
5.2.4 系統電子的要求
5.3 先進的高分辨率、高性能和大面積的AMLCD
參考文獻
第6章 基於有機材料的薄膜晶體管
6.1 背景介紹
6.2 基本原理和工作模式
6.3 有機半導體的范圍和局限
6.4 器件材料和結果
6.4.1 電化學聚合的聚噻酚
6.4.2 真空沉積的低聚噻酚并五苯及其他小分子
6.4.3 六噻酚和并五苯的單晶
6.4.4 溶液加工的聚烷基噻酚
6.4.5 基於印刷技術的全有機器件
6.4.6 n型半導體
6.4.7 絕緣層對載流子遷移率的影響
6.5 結論
參考文獻
第7章 基於小分子的真空沉積有機薄膜場效應晶體管
7.1 背景介紹
7.2 利用有機分子真空升華制備OTFr的方法
7.3 小分子有機半導體電荷傳輸機制
7.4 有機晶體管的操作和模擬
7.5 有機晶體管的性能
7.5.1 p型OTFT的性能
7.5.2 形態學與電學性質的關係
7.5.3 遷移率對柵電壓的依賴
7.5.4 器件構型對并五苯晶體管性能的影響
7.5.5 n型OTFT性能的進展
7.6 結論及展望
參考文獻
第8章 有機晶體管：材料、圖案化技術及其應用
8.1 簡介
8.2 有機半導體
8.2.1 線性稠環
8.2.2 二維稠環化合物
8.2.3 聚合半導體
8.3 夾層電介質
8.4 圖案化技術
8.4.1 絲網印刷
8.4.2 微膠束模型
8.4.3 微接觸印刷
8.4.4 近場光刻
8.5 塑料薄膜晶體管在柔性顯示和邏輯電路中的應用
8.5.1 電子紙張顯示器
8.5.2 邏輯電路
8.6 結論
致謝
參考文獻
第9章 基於溶解加工和直接印刷技術構建的聚合物晶體管電路
9.1 背景介紹
9.2 歷史的觀點
9.3 器件物理學
9.4 經過聚合物自組織增加遷移率
9.5 聚合物晶體管電路的直接噴墨印刷
9.6 應用
9.6.1 有源矩陣顯示器
9.6.2 識別標簽
9.6.3 全聚合物光電子集成電路
9.7 結論
參考文獻
第10章 基於有機.無機雜化材料的薄膜晶體管
10.1 背景介紹
10.2 鈣鈦礦結構的雜化物
10.3 薄膜沉積和圖案化
10.3.1 溶液加工
10.3.2 插入反應
10.3.3 熱蒸發
10.3.4 圖案化
10.4 薄膜晶體管
10.5 結論
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