微電子材料與器件制備技術（簡體書）

本書以微電子材料為對象，以材料和器件的制備工藝為主線，系統、全面地介紹了微電子材料與器件制備技術的前沿問題與進展。全書主要包括微電子材料的分類及性能、微電子器件中材料的選擇、不同微電子材料與器件的加工工藝以及微電子材料的性能測試技術等。 本書適合微電子材料與器件制備領域的工程技術人員、研發人員閱讀使用，也可作為高等院校材料科學與工程、電子科學與技術、化學工程、機械設計與制造等專業師生的教學用書。

1 概述
1.1 微電子技術
1.2 微電子材料及其應用
1.3 工藝
1.4 器件
1.5 未來趨勢
2 單晶
2.1 概述
2.2 硅
2.3 硅的晶體結構與性能
2.
4 硅晶體中的缺陷和非理想狀態
2.5 硅的晶體生長及設備
　2.5.1 硅的純化
2.5.2 直拉法生長單晶硅
　2.5.3 區熔法生長單晶硅
2.5.4 外延法
2.5.5 生長設備
2.6 其他單晶
2.7 晶圓制備
3 薄膜
3.1 概述
3.2 襯底
3.3 多晶硅
3.4 非晶硅
3.5 硅化物
3.6 二氧化硅
3.7 金屬薄膜
3.8 薄膜新材料
3.8.1 金剛石
　3.8.2 其他
　3.9 薄膜制備方法
3.9.1 物理氣相沉積
3.9.2 蒸發和分子束外延生長
3.9.3 濺射
3.9.4 化學氣相沉積
3.9.5 其他沉積方法
　3.10 外延
3.10.1 外延的概念
3.10.2 外延技術的發展
　3.10.3 異質外延　
3.10.4 硅的CVD同質外延
　3.10.5 外延的模擬
4 光刻、鑄造和壓印
4.1 概述
4.2 光刻掩模版
4.2.1 傳統掩模版　
　4.2.2 相移掩模版
4.2.3 X射線光刻掩模版
4.2.4 電子束光刻鏤空式模板與散射式掩模版
　4.2.5 離子束光刻掩模版與模板　
4.2.6 掩模版的制造、缺陷和修復
4.2.7 復合掩模版
4.3 主要光刻技術及設備
4.3.1 沉浸光刻
4.3.2 無掩模光刻技術
4.3.3 紫外線光刻/極紫外光刻
4.3.4 電子束光刻
4.3.5 離子束光刻
4.3.6 X射線光刻
4.3.7 設備
4.4 基本圖形形狀
4.5 光刻膠
4.5.1 光刻膠的反應機理及應用
4.5.2 應用性能指標
4.5.3 光刻膠薄膜光學
4.5.4 光刻膠去膠或灰化
4.6 表面活性劑
4.7 光學光刻延伸技術
4.7.1 上表面成像及多層膠技術
4.7.2 光刻圖形的膠修整及化學收縮
　4.8 光學光刻模擬
　4.9 壓印
4.9.1　納米壓印光刻
5　刻蝕與化學機械拋光
6　清洗與表面預處理
7　表面層改性
8　晶片鍵合技術
9　工藝集成
10　CMOS晶體管
11　MEMS工藝集成
12　微電子材料與器件性能測量分析
參考文獻