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《OP放大電路活用技巧》從實際應用出發，在介紹OP放大器技術原理的同時，重點講解了OP放大器應用中出現的失調、噪聲、振盪、失真等問題的產生原因及抑制防止技術。這些技術對於OP放大器的成功應用是至關重要的。《OP放大電路活用技巧》既可以供初學者學習參考，更是實際從事放大電路設計、製作及系統調試技術人員的工作指南。·
作者簡介
川田章弘，1975年生於廣島縣，在宮城縣長至小學入學；1990年岡山縣笠岡市，開設業餘無線電臺JI4XJI；1995年取得1級陸上無線電技士資格；1996年詫間電波工業高等專科學校電子工程專業畢業；1998年長岡技術科學大學工學部生物機能工程專業畢業；2000年長岡技術科學大學研究生院工學研究科生物機能工程專業碩士課程修完，取得高等專科學校教師證（工業）；2000年進入先進測試公司（株），在群馬R&D中心從事面向半導體測試裝置（ATE）的模擬技術應用的研究開發；2004年進入日本德州儀器（株），以現場應用工程師（FAE）身份提供OP放大器及A/D和D/A轉換器的技術支持；2008年在日本德州儀器（株）厚木技術中心從事公司內實習生技能培訓；2009年進入Yamaha（株），在AV機器事業部工作；電子情報通信學會、日本人類工程學學會會員，美國電工電子學會（IEEE）會員。·
名人/編輯推薦
《OP放大電路活用技巧》既可以供初學者學習參考，更是實際從事放大電路設計、制作及系統調試技術人員的工作指南。
目次
第1章 與纖細的模擬IC——OP放大器的連接方法1.1 模擬與數字二位一體1.1.1 敏感而微弱的模擬與遲鈍而強實的數字1.1.2 缺少模擬電路或缺少數字電路都得不到優良的產品1.2 0P放大器的基本功能“信號放大”的益處1.2.1 放大增強抗噪能力1.2.2 A/D轉換後信息損失少1.2.3 理想放大器的輸出波形和輸入波形相似1.3 0P放大器的分類1.3.1 根據用途的分類1.3.2 根據電源電壓的分類1.3.3 根據輸入、輸出電壓範圍的分類1.4 充分認識OP放大器的不足1.4.1 在性能指標數據表中，一些關鍵的事項並未列出1.4.2 IC缺點的實驗發現1.4.3 要相信的不是性能指標數據表，而是實測數據第2章 掌握放大技術的基礎2.1 相位雖然反轉但精度高的反相放大電路2.1.1 輸入信號和輸出信號的關係2.1.2 兩個外接電阻的阻值比決定增益2.1.3 安裝方法2.1.4 典型應用電路2.2 相位不反、使用方便但精度稍顯不足的同相放大電路2.2.1 不反相而放大2.2.2 使用方便但增益誤差大2.2.3 安裝方法2.3 將能量加於微弱信號上以增強負載驅動能力的電壓跟隨器2.3.1 輸入阻抗大、輸出阻抗小，增益1倍2.3.2 應用舉例2.3.3 易發振盪是此種高性能電路的白玉之瑕第3章 OP放大器周圍外接元件的作用及取值理由3.1 反饋部分3.1.1 決定增益的反饋電阻R11和103.1.2 抑制直流分量放大的電容C93.2 偏壓部分3.2.1 對電源分壓獲得基準電位的R3和R53.2.2 連接分壓電路和OP放大器的R73.2.3 抑制偏壓變動的C23.3 輸入部分3.3.1 抑制電路與外部設備連接時突跳的R83.3.2 不同基準電位下工作的電路之間的橋樑C83.4 輸入部分的詳細設計3.4.1 閱讀電路時省去影響小的元件3.4.2 輸入阻抗的頻率特性3.5 輸出部分3.5.1 實現與下一級穩定連接的R123.5.2 與不同基準電位下工作的下一級放大電路之間的橋樑C103.6 用實驗來校核設計3.6.1 正向幅度受到限制3.6.2 如果調整偏壓，負側又會遭到限幅……第4章 掌握直流放大技術第5章 掌握低噪聲放大技術第6章 頻率特性的控制第7章 振盪對策與周圍元件的選擇方法第8章 低失調OP放大器的使用方法及評價法第9章 低噪聲OP放大器的使用方法及評價法第10章 差動放大器的使用方法及評價法第11章 隔離器件的使用方法及評價法第12章 高速OP放大器的使用方法及評價法參考文獻·
書摘/試閱
5.2.2 低頻區起支配作用的1/f噪聲
存在于低頻區的典型的噪聲有接觸噪聲和爆米花噪聲（突發噪聲）。
接觸噪聲是因兩種材料的接觸狀態不完全而發生的噪聲，如可從接線器的接觸部分以及厚膜貼片電阻（使用金屬釉厚膜的貼片電阻）中發生。其大小與流經接觸部分的電流的平均值成正比，在數十Hz以下區域起支配作用。
爆米花噪聲雖然存在于1/f噪聲的帶域內，但其大小并不與頻率成反比，因而不屬于1/f噪聲。許多噪聲隨著時間的推移其水平是平滑變化的，但爆米花噪聲的水平則以長周期方式突變。因為是突發狀的變化，所以也稱為突發噪聲。通過喇叭或耳機變成聲音一聽，即能聽到米花爆裂那樣的聲音。據說其原因是，因向半導體材料中摻人重金屬離子或結晶缺陷引起的載流子再結合。對于這種問題，除更換OP放大器外別無他法。
5.2.3 大小隨設計變化的白噪聲
從低頻到高頻平均分布的白噪聲區域中，有熱噪聲、散粒噪聲和雪崩噪聲。熱噪聲產生于IC內部及周圍的電阻，其大小隨電阻值及頻域而變化。
散粒噪聲是在電壓超過半導體元件內部一定的閾值電壓下電流流動產生的（其原理由W.Schottky解明）。設流經晶體三極管及二極管PN結的平均電流為IDc（A），則散粒噪聲的有效電流Ish（ARMS）為
Ish=√2qIDCfB
其中，q為電子的電荷量1.6×10—19C；fB為噪聲帶寬（Hz）。
雪崩噪聲是對擊穿電壓5V以上的齊納二極管及晶體三極管的PN結施加反向電壓使其擊穿時發生的。使用齊納二極管時，應并聯一減輕此噪聲的電容。以半導體結晶構造破壞為原因產生的雪崩噪聲，也有文獻記為1/f噪聲。特別是，晶體管的基極、發射極間有較大的擊穿電流流過時，會呈現出1/f噪聲樣的性質。
5.3噪聲的種類及其對策
外來噪聲是從電路外侵入的噪聲。內部噪聲是電路產生的噪聲，主要分為兩種。一種是OP放大器自身產生的噪聲，另一種是起因于反饋電路使用的電阻的噪聲。由圖5.2可知，為減小噪聲，有下述兩種方法。
（1）改變元件及IC的種類。
（2）改變電阻值。
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