TOP
0
0
魅麗。花火原創小說66折起
半導體中的自旋物理學(簡體書)
滿額折

半導體中的自旋物理學(簡體書)

人民幣定價:148 元
定  價:NT$ 888 元
優惠價:87773
領券後再享89折
無庫存,下單後進貨(採購期約45個工作天)
可得紅利積點:23 點
相關商品
商品簡介
作者簡介
目次

商品簡介

《半導體中的自旋物理學》介紹了半導體自旋物理學當前研究全貌,共13章,每章都是由從事該方向研究多年、長期處于研究前沿的專家撰寫。在概述了半導體物理學和自旋物理學的基本知識之后,《半導體中的自旋物理學》重點介紹了當前研究的熱點和重要成果,在實驗技術和實驗測量方面的描述更為詳盡。
《半導體中的自旋物理學》可供對半導體自旋物理學感興趣的研究生和初次涉足這一領域的研究人員使用,對該領域的一線研究人員也極具參考價值。

作者簡介

譯者:姬揚 編者:(美國)M.I.迪阿科諾夫(Dyakonov.M .I .)

目次

中文版前言
前言
第1章 半導體和自旋物理的基礎知識
1.1 歷史背景
1.2 自旋相互作用
1.2.1 泡利原理
1.2.2 交換相互作用
1.2.3 自旋軌道相互作用
1.2.4 與原子核自旋的超精細相互作用
1.2.5 磁相互作用
1.3 半導體物理學基礎
1.3.1 晶體中的電子能譜
1.3.2 電子和空穴的有效質量
1.3.3 有效質量近似
1.3.4 雜質的作用
1.3.5 激子
1.3.6 價帶的結構,輕空穴和重空穴
1.3.7 GaAs的能帶結構
1.3.8 光生載流子以及熒光
1.3.9 光學躍遷中的角動量守恆
1.3.10 低維半導體結構
1.4 半導體中的自旋物理學:概覽
1.4.1 光學自旋取向與探測
1.4.2 自旋弛豫
1.4.3 Hanle效應
1.4.4 自旋流和電流的相互轉化
1.4.5 電子與原子核系統之間的相互作用
1.5 本書內容概覽
參考文獻

第2章 量子阱中自由載流子的自旋動力學
2.1 導論
2.2 自旋動力學的光學測量
2.3 自由電子的自旋弛豫機制
2.4 體材料半導體中的自旋弛豫
2.5 [001]取向量子阱中的電子自旋弛豫
2.5.1 對稱的[001]取向的量子阱
2.5.2 [001]取向量子阱中的結構反演不對稱性
2.5.3 量子阱中的自然界面不對稱性
2.5.4 二維電子氣中的振蕩自旋動力學
2.6 體材料和量子阱中自由空穴的自旋動力學
2.7 量子阱中自旋動力學的設計和控制
2.8 結論
參考文獻

第3章 半導體量子阱中的激子自旋動力學
3.1 二維激子的精細結構
3.1.1 短程電子空穴交換相互作用
3.1.2 電子空穴的長程交換相互作用
3.2 量子阱中激子自旋的光學取向
3.3 量子阱中的激子自旋動力學
3.3.1 量子阱中的激子形成
3.3.2 激子中空穴的自旋弛豫
3.3.3 激子中電子的自旋弛豫
3.3.4 激子自旋弛豫機制
3.4 量子阱中的激子交換能和g因子
3.4.1 用連續光磁熒光譜來測量激子的交換能和g因子
3.4.2 激子的自旋拍
3.5 II類量子阱中的激子自旋動力學
3.6 高密度激子系統中的自旋動力學
參考文獻

第4章 半導體量子點中的激子自旋動力學
4.1 導論
4.2 量子點中的電子空穴復合體
4.2.1 對單粒子圖像的庫侖修正
4.2.2 中性激子的精細結構
4.3 無外加磁場時中性量子點中的激子自旋動力學
4.3.1 共振激發下的激子自旋動力學
4.3.2 激子自旋的量子拍:各向異性的交換相互作用的影響
4.4 有外磁場時中性量子點中的激子自旋動力學
4.4.1 單量子點光譜中塞曼效應與各向異性相互作用導致的劈裂之間的競爭
4.4.2 外磁場下激子自旋的量子拍
4.5 荷電激子復合體:無磁場時的激子自旋動力學
4.5.1 荷電激子的形成:摻雜結構和電荷可調結構
4.5.2 X+和X-激子的精細結構和偏振
4.5.3 帶負電的激子復合體xn-的自旋動力學
4.5.4 束縛電子的自旋記憶
4.6 帶電荷的激子復合體:外磁場中的自旋動力學
4.6.1 縱向磁場中帶正電激子的電子自旋極化
4.6.2 垂直磁場中帶正電的激子的電子自旋相干性
4.7 結論
參考文獻

第5章 時間自旋分辨動力學和自旋噪聲譜
5.1 導論
5.2 時間分辨和偏振分辨的光致熒光譜
5.2.1 實驗技術
5.2.2 實驗例證I:(110)量子阱中的自旋弛豫
5.2.3 實驗例證II:半導體中耦合的電子和空穴自旋的相干動力學
5.2.4 光致熒光和自旋-光電器件
5.3 時間分辨法拉第/克爾旋轉
5.3.1 實驗裝置
5.3.2 實驗例證:自旋放大
5.4 自旋噪聲譜
5.5 n-GaAs中的自旋噪聲測量
5.6 結論
參考文獻

第6章 載流子的相干自旋動力學
6.1 導論
6.1.1 自旋相干性和自旋退相位時間
6.1.2 用光學方法產生自旋相干的載流子
6.1.3 實驗技術
6.2 量子阱中的自旋相干性
6.2.1 電子自旋相干性
6.2.2 空穴自旋相干性
6.3 帶有單個電荷的量子點中的自旋相干性
6.3.1 用法拉第旋轉來探測激子和電子的自旋拍頻
6.3.2 電子自旋相干性的產生
6.3.3 量子點系綜中自旋相干性的模式鎖定
6.3.4 原子核誘導的自旋相干性的頻率匯集
6.4 結論
參考文獻

第7章 硅中受限電子的自旋性質
7.1 導論
7.2 硅量子阱中的自旋軌道效應
7.3 Si/SiGe量子阱中導帶電子的白旋弛豫
7.3.1 導帶電子的自旋弛豫機制
7.3.2 Si/SiGe中二維電子氣的線寬和縱向弛豫時間
7.3.3 退相位和縱向自旋弛豫
7.3.4 與實驗的比較
7.4 電流誘導的自旋一軌道場
7.5 交流電流引起的電子自旋共振
7.5.1 電偶極矩的自旋激發和磁偶極矩的自旋激發
7.5.2 二維Si/SiGe結構中的電子自旋共振信號的強度——實驗結果
7.5.3 電子自旋共振的電流誘導激發和探測的模型
7.5.4 功率吸收和線型
7.6 平面束縛下的自旋弛豫
7.6.1 淺施主雜質
7.6.2 從二維電子氣到量子點
7.6.3 硅量子點中的自旋弛豫和退相位
7.7 結論
參考文獻

第8章 自旋霍爾效應
8.1 背景:分子氣體中的磁輸運
8.2 唯象理論:具有反演對稱性的情形
8.2.1 基本知識
8.2.2 自旋流和電流的耦合
8.2.3 唯象方程
……
第9章 自旋光電流效應
第10章 自旋注入
第11章 動態原子核極化與原子核場
第12章 量子霍爾效應區內的原子核自旋與電子自旋的相互作用
第13章 稀磁性半導體的基本物理學和光學性質
譯後記
《半導體科學與技術叢書》已出版書目

您曾經瀏覽過的商品

購物須知

大陸出版品因裝訂品質及貨運條件與台灣出版品落差甚大,除封面破損、內頁脫落等較嚴重的狀態,其餘商品將正常出貨。

特別提醒:部分書籍附贈之內容(如音頻mp3或影片dvd等)已無實體光碟提供,需以QR CODE 連結至當地網站註冊“並通過驗證程序”,方可下載使用。

無現貨庫存之簡體書,將向海外調貨:
海外有庫存之書籍,等候約45個工作天;
海外無庫存之書籍,平均作業時間約60個工作天,然不保證確定可調到貨,尚請見諒。

為了保護您的權益,「三民網路書店」提供會員七日商品鑑賞期(收到商品為起始日)。

若要辦理退貨,請在商品鑑賞期內寄回,且商品必須是全新狀態與完整包裝(商品、附件、發票、隨貨贈品等)否則恕不接受退貨。

優惠價:87 773
無庫存,下單後進貨
(採購期約45個工作天)

暢銷榜

客服中心

收藏

會員專區