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模擬集成電路的分析與設計(第4版‧翻譯版)（簡體書）
- 系列名：國外優秀信息科學與技術系列教學用書
- ISBN13：9787040166002
- 出版社：高等教育出版社
- 作者：(美)格雷
- 裝訂／頁數：平裝／819頁
- 規格：23.5cm*16.8cm (高/寬)
- 版次：一版
- 出版日：2011/01/01
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商品簡介
目次
商品簡介
《模擬集成電路的分析與設計(翻譯版)(第4版)》介紹模擬集成電路的分析與設計。全面闡述了模擬集成電路的基本原理和概念，同時還闡述了模擬集成電路的新技術和新全書共十二章。前七章介紹了集成電路放大器件模型，雙極型、MOS和BiCMOS集成電路技術，單級放大器與多級放大器，鏡像電流源、有源負載和基準源，輸出級，單端輸出的運算放大器以及集成電路的頻率呼應第八、九章介紹了反饋，反饋放大器的頻率呼應和穩定性，第十章至十二章介紹了非線性模擬電路，集成電路的噪聲和全差分運算廣大器
目次
第一章 集成電路放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn結的耗盡區
1.2.1 勢壘電容
1.2.2 結擊穿
1.3 雙極型晶體管的大信號特性
1.3.1 正向放大區的大信號模型
1.3.2 集電極電壓對正向放大區大信號特性的影響
1.3.3 飽和區和反向放大區
1.3.4 晶體管擊穿電壓
1.3.5 工作條件決定晶體管電流增益
1.4 雙極型晶體管的小信號模型
1.4.1 跨導
1.4.2 基區寄生電容
1.4.3 輸入電阻
1.4.4 輸出電阻
1.4.5 雙極型晶體的基本小信號模型
1.4.6 集電極－－基極電阻
1.4.7 小信號模型的寄生單元
1.7.8 晶體管頻率呼應特性
1.5 金屬氧化物效晶體管的大信號特性
1.5.1 MOS器件的轉移特性
1.5.2 雙極型晶體管和MOS晶體管工作區的比較
1.5.3 柵－源電壓的分解
1.5.4 閾值的溫度獨立性
1.5.5 MOS器件的電壓限制
1.6 MOS晶體管的小信號模型
1.6.1 跨導
1.6.2 柵－源以及柵－漏固有電容
1.6.3 輸入電阻
1.6.4 輸出電阻
1.6.5 MOS晶體管的基本小信號模型
1.6.6 襯底跨導
1.6.7 小信號模型的寄生單元
1.6.8 MOS晶體管的頻率呼應
1.7 MOS晶體管的短溝道效應
1.7.1 水平場中的速率飽和
1.7.2 跨導和特徵頻率
1.7.3 垂直場中的遷移率下降
1.8 MOS晶體客中的弱反型
1.8.1 弱反型中的漏極電流
1.8.2 弱反型區中的跨導和特徵頻率
1.9 晶體管中的襯底電流
附錄
A.1.1 有源器件參數列表
第二章 雙極型、MOS和BiCMOS集成電路技術
2.1 引言
2.2 集成電路產生的基本過程
2.2.1 硅的電阻率
2.2.2 固態擴散
2.2.3 擴散層的電特性
2.2.4 光刻工藝
2.2.5 外延生長
2.2.6 離子注入
2.2.7 局部氧化
2.2.8 多晶硅的淀積
2.3 高壓雙極型集成電路的製造
2.4 高級雙極型集成電路的製造
2.5 雙極型模擬集成電路中的放大器件
……
第三章 單級放大器與多級放大器
第四章 鏡像電流源、有源負載和基準源
第五章 輸出級
第六章 單端輸出的運算放大器
第七章 集成電路的頻率響應
第八章 反饋
第九章 反饋放大器的頻率響應
第十章 非線性模擬電路
第十一章 集成電路的噪聲
第十二章 全差分運算放大器
索引
1.1 引言
1.2 pn結的耗盡區
1.2.1 勢壘電容
1.2.2 結擊穿
1.3 雙極型晶體管的大信號特性
1.3.1 正向放大區的大信號模型
1.3.2 集電極電壓對正向放大區大信號特性的影響
1.3.3 飽和區和反向放大區
1.3.4 晶體管擊穿電壓
1.3.5 工作條件決定晶體管電流增益
1.4 雙極型晶體管的小信號模型
1.4.1 跨導
1.4.2 基區寄生電容
1.4.3 輸入電阻
1.4.4 輸出電阻
1.4.5 雙極型晶體的基本小信號模型
1.4.6 集電極－－基極電阻
1.4.7 小信號模型的寄生單元
1.7.8 晶體管頻率呼應特性
1.5 金屬氧化物效晶體管的大信號特性
1.5.1 MOS器件的轉移特性
1.5.2 雙極型晶體管和MOS晶體管工作區的比較
1.5.3 柵－源電壓的分解
1.5.4 閾值的溫度獨立性
1.5.5 MOS器件的電壓限制
1.6 MOS晶體管的小信號模型
1.6.1 跨導
1.6.2 柵－源以及柵－漏固有電容
1.6.3 輸入電阻
1.6.4 輸出電阻
1.6.5 MOS晶體管的基本小信號模型
1.6.6 襯底跨導
1.6.7 小信號模型的寄生單元
1.6.8 MOS晶體管的頻率呼應
1.7 MOS晶體管的短溝道效應
1.7.1 水平場中的速率飽和
1.7.2 跨導和特徵頻率
1.7.3 垂直場中的遷移率下降
1.8 MOS晶體客中的弱反型
1.8.1 弱反型中的漏極電流
1.8.2 弱反型區中的跨導和特徵頻率
1.9 晶體管中的襯底電流
附錄
A.1.1 有源器件參數列表
第二章 雙極型、MOS和BiCMOS集成電路技術
2.1 引言
2.2 集成電路產生的基本過程
2.2.1 硅的電阻率
2.2.2 固態擴散
2.2.3 擴散層的電特性
2.2.4 光刻工藝
2.2.5 外延生長
2.2.6 離子注入
2.2.7 局部氧化
2.2.8 多晶硅的淀積
2.3 高壓雙極型集成電路的製造
2.4 高級雙極型集成電路的製造
2.5 雙極型模擬集成電路中的放大器件
……
第三章 單級放大器與多級放大器
第四章 鏡像電流源、有源負載和基準源
第五章 輸出級
第六章 單端輸出的運算放大器
第七章 集成電路的頻率響應
第八章 反饋
第九章 反饋放大器的頻率響應
第十章 非線性模擬電路
第十一章 集成電路的噪聲
第十二章 全差分運算放大器
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