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存儲器IC的應用技巧(簡體書)
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存儲器IC的應用技巧(簡體書)

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商品簡介
作者簡介
目次

商品簡介

本書是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書主要介紹了5種存儲器IC的結構及使用方法,分別為:UVEPROM、閃速存儲器、EEPROM、SRAM和DRAM。同時還介紹了SRAM的兩種特殊類型。本書以實際的產品為例,分類描述了它們的設計結構和工作原理,具有很強的實用性。
本書非常適合從事計算機、通信、家電領域及存儲器IC相關領域的研發及工程技術人員學習參考,是從業人員的好幫手。

作者簡介

桑野雅彥,1984年畢業于早稻田大學理工學部,進入東京芝浦電氣(現在的東芝);1998年獨立從事開發與設計。

目次

第1章UVEPROM的結構與使用方法
 1.1 UVEPROM的結構與特徵
1.1.1 UVEPROM的單元結構
1.1.2 UVEPROM的寫入與擦除
1.1.3 一次性PROM
 1.2 UV-EPROM的輸入輸出信號
 1.3 操作模式
1.3.1 數據讀(Data Read)
1.3.2 輸出禁止(Output Disable)
1.3.3 待機(TTL/CMOS)
1.3.4 編程(Programming)
1.3.5 編程驗證(Program Verify)
1.3.6 編程禁止(Program Inhibit)
1.3.7 自動選擇(Auto Select)
 1.4 DC規定
 1.5 UV-EPROM的讀操作
 1.6 UV-EPROM的編程方法
1.6.1 UV-EPROM寫入方式的變遷
1.6.2 Am27C010的編程方法
1.6.3 UV-EPROM擦除器的製作
第2章 閃速存儲器的結構與使用方法
 2.1 閃速存儲器的概要
 2.2 閃速存儲器的分類及特徵
 2.3 NAND閃速存儲器
2.3.1 TC58V64的引腳配置
2.3.2 NAND閃速存儲器的內部結構
2.3.3 操作指令
 2.4 NOR閃速存儲器
2.4.1 引腳配置
2.4.2 信號的種類
2.4.3 與處理器的連接實例
2.4.4 讀周期的概要
2.4.5 寫周期的概要
2.4.6 讀周期的時序
2.4.7 寫周期的時序
2.4.8 閃速存儲器指令
【專欄】555h/2AAh與5555h/2AAAh有何區別
2.4.9 閃速存儲器的狀態
第3章 EEPROM的結構與使用方法
 3.1 EEPROM的概要
 3.2 串行EEPROM
 3.3 Microwire總線對應的存儲器——M93Cx6
3.3.1 M93Cx6的引腳配置
3.3.2 Microwire總線的存取操作
 3.4 SPI總線存儲器——M95256
3.4.1 M95256的引腳配置
3.4.2 SPI總線對應的存儲器的操作
3.4.3 指令設置
3.4.4 狀態寄存器
 3.5 I2C總線對應的存儲器——M24Cxx
3.5.1 I2C總線與串行EEPROM
3.5.2 I2C總線存儲器M24C01~M24C16
3.5.3 I2C總線的基本操作
3.5.4 寫操作的流程
3.5.5 讀操作的流程
3.5.6 擴展I2C總線存儲器
3.5.7 M24C64的時序
 3.6 並行EEPROM
3.6.1 M28010的信號
3.6.2 基本的存取操作
3.6.3 EEPROM的寫入操作及指令
3.6.4 狀態寄存器
第4章 SRAM的結構與使用方法
 4.1 SRAM的單元結構
4.1.1 RS觸發器
4.1.2 4晶體管單元
4.1.3 6晶體管單元
 4.2 SRAM的分類
4.2.1 異步SRAM
4.2.2 同步SRAM
4.2.3 雙端口SRAM
4.2.4 FIFO
 4.3 異步SRAM
4.3.1 異步SRAM的信號
4.3.2 異步SRAM的基本操作
4.3.3 時序的解析
 4.4 同步SRAM
4.4.1 同步管道突發式SRAM
4.4.2 實際的同步管道突發式SRAM
4.4.3 同步管道突發式SRAM的各種信號
4.4.4 同步管道突發式SRAM的基本操作
4.4.5 同步突發式SRAM
4.4.6 實際的同步突發式SRAM
4.4.7 同步突發式SRAM的單一讀操作
4.4.8 同步突發式SRAM的突發讀操作
 4.5 SRAM主板的製作
4.5.1 ISA總線存儲器周期的注意事項
4.5.2 SRAM存儲器主板的基本設計
4.5.3 SRAM存儲器主板的操作確認
第5章 特殊的SRAM的結構與使用方法
 5.1 雙端口SRAM
5.1.1 異步類型的雙端口SRAM
5.1.2 CY7C019的引腳配置
5.1.3 CY7C019的信號線
5.1.4 CY7C019的基本操作功能
5.1.5 同步類型的雙端口SRAM
5.1.6 CY7C09199的引腳配置
5.1.7 CY7C09199的信號
5.1.8 CY7C09199的存取操作
 5.2 FIFO存儲器
5.2.1 實際的FIFO存儲器
5.2.2 CY7C419的信號
5.2.3 CY7C419的操作
第6章 DRAM的結構與使用方法
 6.1 DRAM的單元結構
6.1.1 DRAM單元結構的概況
6.1.2 刷新
6.1.3 軟錯誤
6.1.4 電容器的設計
 6.2 DRAM內部電路
 6.3 DRAM的外部接口
6.3.1 DRAM的基本信號
6.3.2 DRAM的讀/寫操作
6.3.3 DRAM的刷新操作
6.3.4 DRAM的快速訪問模式
 6.4 同步DRAM
6.4.1 同步DRAM的信號
6.4.2 SDRAM指令
6.4.3 同步DRAM的存取操作示例
 6.5 DDR-SDRAM
6.5.1 DDR-SDRAM的信號
6.5.2 DDR-SDRAM的操作
 6.6 直接總線式DRAM
6.6.1 直接總線式DRAM的信號
6.6.2 直接總線式DRAM的信號連接
6.6.3 直接總線式DRAM的操作概況
6.6.4 直接總線式DRAM的操作示例
 6.7 VC-DRAM及其內部結構
 6.8 FCRAM
附錄 存儲器模塊在個人計算機中的應用
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