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多媒體技術應用-(第3版)-(含光碟1張)-中等職業教育國家規劃教材（簡體書）
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商品簡介
目次
商品簡介
本書圍繞多媒體系統平臺、多媒體信息處理技術、制作多媒體作品等多項內容，進行了精簡實用的論述。對多媒體系統平臺、多媒體信息處理技術作了簡明扼要的講述；介紹了多媒體信息的播放和使用；平面繪圖工具Illustrator、多媒體創作工具Flash的功能及使用技巧、數碼設備信息的采集和輸入技術，以及運用專用軟件制作照片和影視信息，使不具有程序設計經驗的非計算機專業人員也能制作出集聲、圖、文于一體的多媒體作品。為了便于深入學習和理解書中內容，本書在各章后都附有小結和習題，并配有大量實例。
本書既可作為中等職業技術學校多媒體技術課程的教材，也可作為從事多媒體技術人員的技術參考書。
本書配有教學光盤和電子教學資料包，詳見前言。
本書既可作為中等職業技術學校多媒體技術課程的教材，也可作為從事多媒體技術人員的技術參考書。
本書配有教學光盤和電子教學資料包，詳見前言。
目次
第1章 集成電路設計概述
1.1 集成電路的發展
1.2 集成電路設計流程及設計環境
1.3 集成電路制造途徑
1.4 集成電路設計的知識范圍
思考題
第2章 集成電路材料、結構與理論
2.1 集成電路材料
2.1.1 硅
2.1.2 砷化鎵
2.1.3 磷化銦
2.1.4 絕緣材料
2.1.5 金屬材料
2.1.6 多晶硅
2.1.7 材料系統
2.2 半導體基礎知識
2.2.1 半導體的晶體結構
2.2.2 本征半導體與雜質半導體
2.3 PN結與結型二極管
2.3.1 PN結的擴散與漂移
2.3.2 PN結型二極管
2.3.3 肖特基結二極管
2.3.4 歐姆型接觸
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 雙極型晶體管的基本結構
2.4.2 雙極型晶體管的工作原理
2.5 MOS晶體管
2.5.1 MOS晶體管的基本結構
2.5.2 MOS晶體管的工作原理
2.5.3 MOS晶體管的伏安特性
思考題
本章參考文獻
第3章 集成電路基本工藝
3.1 外延生長
3.2 掩模版的制造
3.3 光刻原理與流程
3.3.1 光刻步驟
3.3.2 曝光方式
3.4 氧化
3.5 淀積與刻蝕
3.6 摻雜原理與工藝
思考題
本章參考文獻
第4章 集成電路器件工藝
4.1 雙極型集成電路的基本制造工藝
4.1.1 雙極型硅工藝
4.1.2 HBT工藝
4.2 MESFET和HEMT工藝
4.2.1 MESFET工藝
4.2.2 HEMT工藝
4.3 MOS和相關的VLSl工藝
4.3.1 PMOS工藝
4.3.2 NMOS工藝
4.3.3 CMOS工藝
4.4 BiCMOS工藝
思考題
本章參考文獻
第5章 MOS場效應管的特性
5.1 MOS場效應管
5.1.1 MOS管伏安特性的推導
5.1.2 MOS電容的組成
5.1.3 MOS電容的計算
5.2 MOS FET的閡值電壓VT
5.3 體效應
5.4 MOSFET的溫度特性
5.5 MOSFET的噪聲
5.6 MOSFET尺寸按比例縮小
5.7 MOS器件的二階效應
5.7.1 L和W的變化
5.7.2 遷移率的退化
5.7.3 溝道長度的調制
5.7.4 短溝道效應引起的閾值電壓的變化
5.7.5 狹溝道效應引起的閾值電壓的變化
思考題
本章參考文獻
第6章 集成電路器件及SPICE模型
第7章 SPICE數模混合仿真程序的設計流程及方法
第8章 集成電路版圖設計與工具
第9章 模擬集成電路基本單元
第10章 數字集成電路基本單元與版圖
第11章 集成電路數字系統設計基礎
第12章 集成電路的測試和封裝
1.1 集成電路的發展
1.2 集成電路設計流程及設計環境
1.3 集成電路制造途徑
1.4 集成電路設計的知識范圍
思考題
第2章 集成電路材料、結構與理論
2.1 集成電路材料
2.1.1 硅
2.1.2 砷化鎵
2.1.3 磷化銦
2.1.4 絕緣材料
2.1.5 金屬材料
2.1.6 多晶硅
2.1.7 材料系統
2.2 半導體基礎知識
2.2.1 半導體的晶體結構
2.2.2 本征半導體與雜質半導體
2.3 PN結與結型二極管
2.3.1 PN結的擴散與漂移
2.3.2 PN結型二極管
2.3.3 肖特基結二極管
2.3.4 歐姆型接觸
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 雙極型晶體管的基本結構
2.4.2 雙極型晶體管的工作原理
2.5 MOS晶體管
2.5.1 MOS晶體管的基本結構
2.5.2 MOS晶體管的工作原理
2.5.3 MOS晶體管的伏安特性
思考題
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第3章 集成電路基本工藝
3.1 外延生長
3.2 掩模版的制造
3.3 光刻原理與流程
3.3.1 光刻步驟
3.3.2 曝光方式
3.4 氧化
3.5 淀積與刻蝕
3.6 摻雜原理與工藝
思考題
本章參考文獻
第4章 集成電路器件工藝
4.1 雙極型集成電路的基本制造工藝
4.1.1 雙極型硅工藝
4.1.2 HBT工藝
4.2 MESFET和HEMT工藝
4.2.1 MESFET工藝
4.2.2 HEMT工藝
4.3 MOS和相關的VLSl工藝
4.3.1 PMOS工藝
4.3.2 NMOS工藝
4.3.3 CMOS工藝
4.4 BiCMOS工藝
思考題
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第5章 MOS場效應管的特性
5.1 MOS場效應管
5.1.1 MOS管伏安特性的推導
5.1.2 MOS電容的組成
5.1.3 MOS電容的計算
5.2 MOS FET的閡值電壓VT
5.3 體效應
5.4 MOSFET的溫度特性
5.5 MOSFET的噪聲
5.6 MOSFET尺寸按比例縮小
5.7 MOS器件的二階效應
5.7.1 L和W的變化
5.7.2 遷移率的退化
5.7.3 溝道長度的調制
5.7.4 短溝道效應引起的閾值電壓的變化
5.7.5 狹溝道效應引起的閾值電壓的變化
思考題
本章參考文獻
第6章 集成電路器件及SPICE模型
第7章 SPICE數模混合仿真程序的設計流程及方法
第8章 集成電路版圖設計與工具
第9章 模擬集成電路基本單元
第10章 數字集成電路基本單元與版圖
第11章 集成電路數字系統設計基礎
第12章 集成電路的測試和封裝
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