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半導體製造基礎（簡體書）
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商品簡介
作者簡介
目次
商品簡介
本書在簡要介紹半導體制造流程的基礎上，著力從理論和實踐兩個方面對晶體生長、硅氧化、光刻、刻蝕、擴散、離子注入和薄膜淀積等主要制備步驟進行詳細探討。本書所有內容的講解都結合了計算機仿真和模擬工具，并將工藝模擬作為問題分析與討論的工具。
本書可作為高等院校微電子和材料科學等專業高年級本科生或者一年級研究生的教材。
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作者簡介
Gary S.May是半導體制造領域的世界級專家，IEEE會士，現任佐治亞理工學院電子和計算機工程學院院長、教授。May于1991年獲得加州大學伯克利分校博士學位，此后任職于貝爾實驗室和麥道公司。曾擔任半導體領域權威期刊IEEE Transactions of Semiconductor manufacturing主編。
目次
第1章 概述
1.1 半導體材料
1.2 半導體器件
1.3 半導體工藝技術
1.3.1 關鍵半導體技術
1.3.2 技術趨勢
1.4 基本制造步驟
1.4.1 氧化
1.4.2 光刻和刻蝕
1.4.3 擴散和離子注入
1.4.4 金屬化
1.5 小結
參考文獻
第2章 晶體生長
2.1 從熔體生長硅單晶
2.1.1 初始原料
2.1.2 Czpcjralslo法
2.1.3 雜質分布
2.1.4 有效分凝系數
2.2 硅懸浮區熔法
2.3 GaAs晶體生長技術
2.3.1 初始材料
2.3.2 晶體生長技術
2.4 材料特征
2.4.1 晶片整形
2.4.2 晶體特征
2.5 小結
參考文獻
習題
第3章 硅氧化
3.1 熱氧化方法
3.1.1 生長動力學
3.1.2 薄氧化層生長
3.2 氧化過程中雜質再分布
3.3 二氧化硅掩模特性
3.4 氧化層質量
3.5 氧化層厚度表征
3.6 氧化模擬
3.7 小結
參考文獻
習題
第4章 光刻
4.1 光學光刻
4.1.1 超凈間
4.1.2 曝光設備
4.1.3 掩模
4.1.4 光致抗蝕劑
4.1.5 圖形轉移
4.1.6 分辨率增強工藝
4.2 下一代光刻方法
4.2.1 電子束光刻
4.2.2 極短紫外光刻
4.2.3 X射線光刻
4.2.4 離子束光刻
4.2.5 各種光刻方法比較
4.3 光刻模擬
4.4 小結
參考文獻
習題
第5章 刻蝕
第6章 擴散
第7章 離子注入
第8章 薄膜淀積
第9章 工藝集成
第10章 IC制造
第11章 未來趨勢和挑戰
附錄A 符號表
附錄B 國示單位制
附錄C 單位詞頭
附錄D 希臘字母表
附錄E 物理常數
附錄F 300K時Si和GaAs的性質
附錄G 誤差函數的一些性質
附錄H 氣體基本動力學理論
附錄I SUPREM命令
附錄J 運行PROLITH
附錄K t分布的百分點
附錄L F分布的百分點
索引
1.1 半導體材料
1.2 半導體器件
1.3 半導體工藝技術
1.3.1 關鍵半導體技術
1.3.2 技術趨勢
1.4 基本制造步驟
1.4.1 氧化
1.4.2 光刻和刻蝕
1.4.3 擴散和離子注入
1.4.4 金屬化
1.5 小結
參考文獻
第2章 晶體生長
2.1 從熔體生長硅單晶
2.1.1 初始原料
2.1.2 Czpcjralslo法
2.1.3 雜質分布
2.1.4 有效分凝系數
2.2 硅懸浮區熔法
2.3 GaAs晶體生長技術
2.3.1 初始材料
2.3.2 晶體生長技術
2.4 材料特征
2.4.1 晶片整形
2.4.2 晶體特征
2.5 小結
參考文獻
習題
第3章 硅氧化
3.1 熱氧化方法
3.1.1 生長動力學
3.1.2 薄氧化層生長
3.2 氧化過程中雜質再分布
3.3 二氧化硅掩模特性
3.4 氧化層質量
3.5 氧化層厚度表征
3.6 氧化模擬
3.7 小結
參考文獻
習題
第4章 光刻
4.1 光學光刻
4.1.1 超凈間
4.1.2 曝光設備
4.1.3 掩模
4.1.4 光致抗蝕劑
4.1.5 圖形轉移
4.1.6 分辨率增強工藝
4.2 下一代光刻方法
4.2.1 電子束光刻
4.2.2 極短紫外光刻
4.2.3 X射線光刻
4.2.4 離子束光刻
4.2.5 各種光刻方法比較
4.3 光刻模擬
4.4 小結
參考文獻
習題
第5章 刻蝕
第6章 擴散
第7章 離子注入
第8章 薄膜淀積
第9章 工藝集成
第10章 IC制造
第11章 未來趨勢和挑戰
附錄A 符號表
附錄B 國示單位制
附錄C 單位詞頭
附錄D 希臘字母表
附錄E 物理常數
附錄F 300K時Si和GaAs的性質
附錄G 誤差函數的一些性質
附錄H 氣體基本動力學理論
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