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本書系統介紹了集成電路器件電子學，其內容可分為兩部分：第一部分是學習半導體器件必須的知識，包括半導體物理和工藝的基本知識，以及金屬-半導體接觸和pn結理論；第二部分系統深入地闡述了雙極晶體管和MOS場效應晶體管的工作原理和特性。書中每章后有大量的習題，供讀者加深理解所學的知識。 本書可作為高等學校微電子專業本科生和研究生相應課程的教科書或參考書，也可供在相關領域工作的專業技術人員參考。
作者簡介
Richard S.Muller，自20世紀60年代早期硅集成電路發明以來，Richard S.Muller一直從事這一領域的研究工作。他于1962年在加州理工學院獲得博士學位。此后加入加州大學伯克利分校，進行前瞻性的研究與教學工作。通過與校內的電路設計人員，器件專家和工藝人員的合作，以及在硅谷幾家公司的咨詢活動，他在集成電路領域獲得了相當的知名度和實踐經驗。這樣的經歷為他的新課程的建立提供了堅實的基礎。該課程的名稱后來被用作本書的書名，并且他已經給伯克利分校的多屆學生教授這門課程。70年代后期，他開始從事現在稱為“微機電系統”領域的研究，并在1986年與一位同事一起建立了伯克利傳感器與執行器中心。他現為美國國家工程院院士，并且是IEEE的會員。其他的一些榮譽包括：IEEE學會BRUNETI獎，STEVENS工學院復興獎，ALEXANDER VON HUMBOLDT研究獎，伯克利嘉獎，北大西洋公約組織研究員和富爾布賴特研究獎。 Muller教授目前還是STEVENS工學院董事會成員。
目次
第1章 半導體電學特性
1.1 半導體材料物理
1.2 半導體中的自由載流子
1.3 器件：霍爾效應磁傳感器
小結
參考文獻
參考書
習題
第2章 硅工藝
2.1 硅平面工藝
2.2 晶體生長
2.3 熱氧化
2.4 光刻和圖形轉移
2.5 摻雜和擴散
2.6 化學氣相淀積
2.7 互連和封裝
2.8 化合物半導體工藝
2.9 數值模擬
2.10 器件：集成電路中的電阻
小結
參考文獻
參考書
習題
第3章 金融-半導體接觸
3.1 電子系統中的平衡
3.2 理想的金屬-半導體結
3.3 電流-電壓特性
3.4 非整流（歐姆）接觸
3.5 表面效應
3.6 金屬-半導體器件：Schottky二極管
小結
參考文獻
參考書
習題
第4章 pn結
4.1 緩變雜質分布
4.2 反偏pn結
4.3 結的擊穿
4.4 器件：結型場效應晶體管
小結
參考文獻
參考書
習題
4.5
第5章 pn結中的電流
第6章 雙極晶體管I：基本特性
第7章 雙極晶體管II：局限性與模型化
第8章 金屬-氧化物-半導體系統的性質
第9章 MOS場效應晶體管I：物理效應和模型
第10章 MOS場效應晶體管II：強場效應
部分參考答案
附錄
索引
1.1 半導體材料物理
1.2 半導體中的自由載流子
1.3 器件：霍爾效應磁傳感器
小結
參考文獻
參考書
習題
第2章 硅工藝
2.1 硅平面工藝
2.2 晶體生長
2.3 熱氧化
2.4 光刻和圖形轉移
2.5 摻雜和擴散
2.6 化學氣相淀積
2.7 互連和封裝
2.8 化合物半導體工藝
2.9 數值模擬
2.10 器件：集成電路中的電阻
小結
參考文獻
參考書
習題
第3章 金融-半導體接觸
3.1 電子系統中的平衡
3.2 理想的金屬-半導體結
3.3 電流-電壓特性
3.4 非整流（歐姆）接觸
3.5 表面效應
3.6 金屬-半導體器件：Schottky二極管
小結
參考文獻
參考書
習題
第4章 pn結
4.1 緩變雜質分布
4.2 反偏pn結
4.3 結的擊穿
4.4 器件：結型場效應晶體管
小結
參考文獻
參考書
習題
4.5
第5章 pn結中的電流
第6章 雙極晶體管I：基本特性
第7章 雙極晶體管II：局限性與模型化
第8章 金屬-氧化物-半導體系統的性質
第9章 MOS場效應晶體管I：物理效應和模型
第10章 MOS場效應晶體管II：強場效應
部分參考答案
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