中國圖書館分類法 - 三民網路書店

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1.碳化矽器件工藝核心技術（簡體書）

作者：(希)康斯坦丁‧澤肯特斯; (英)康斯坦丁‧瓦西列夫斯基等 出版社：機械工業出版社 出版日：2024/01/01 裝訂：平裝

本書共包含9章，以碳化矽(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、幹法刻蝕、電解質製備等關鍵工藝技術，以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結構的製造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻，以反映這些方面的最新成果和發展趨勢。

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2.寬禁帶半導體功率器件：材料、物理、設計及應用（簡體書）

作者：(美)賈揚‧巴利加等 出版社：機械工業出版社 出版日：2024/01/01 裝訂：平裝

本書系統地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應用中不同類型的器件結構，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設計、製造，以及智能功率集成中的技術細節。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅動設計，以及SiC和GaN功率器件的應用。最後對寬禁帶半導體功率器件的未來發展進行了展望。

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3.高k柵介質材料與器件集成（簡體書）

作者：何剛 出版社：清華大學出版社(大陸) 出版日：2023/09/09 裝訂：平裝

本書主要是一本系統介紹高k柵介質及其在器件中應用探索的教材。主要內容包括微電子器件發展的背景、進展趨勢及其面臨的科學問題；高k柵介質的物理基礎、製備及其表徵；稀土基高k柵介質的界面調控及MOS器件性能優化；然後介紹高k柵介質在器件中應用探索，包括：高k柵介質與Si-MOSFET器件集成；高k柵介質與高遷移率場效應器件集成；高k柵介質與OTFT器件集成；高k柵介質與VTFT集成；高k柵介質與存儲器件；高k柵介質與神經器件及計算。

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4.半導體器件物理（簡體書）

作者：徐靜平; 劉璐; 高俊雄 出版社：華中科技大學出版社 出版日：2023/09/01 裝訂：平裝

本教材書主要描述常用半導體器件的基本結構、工作原理以及電特性。內容包括：半導體物理基礎、PN結、PN結二極管應用、雙極型晶體管、結型場效應晶體管、MOSFET以及新型場效應晶體管,如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等,共計七章。與同類教材比較,本教材增加了pn結二極管應用以及新型場效應晶體管的介紹,反映了本領域的最新研究進展,豐富了BJT和MOSFET的相關內容,對重要知識點有更詳盡的解釋說明,便於學生自學,也可供本領域科研人員和工程技術人員參考。

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5.功率超結器件（簡體書）

作者：章文通; 張波; 李肇基 出版社：人民郵電出版社 出版日：2023/07/01 裝訂：平裝

超結是功率半導體器件領域的創新的耐壓層結構之一，它將常規阻型耐壓層質變為PN 結型耐壓層，突破了傳統比導通電阻和耐壓之間的“矽極限”關係(Ron,sp∝VB^2.5)，將 2.5次方關係降低為 1.32次方，甚至是 1.03 次方關係，被譽為功率半導體器件發展的“里程碑”。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研究中獲得的理論、技術與實驗結果，包括電荷場調製概念、超結器件耐壓原理與電場分佈、縱向超結器件非全耗盡模式與準線性關係(Ron,sp∝VB^1.03)、橫向超結器件等效襯底模型、全域優化法、最低比導通電阻理論等。在此基礎上，本書又提出了勻場耐壓層新概念，即以金屬-絕緣體-金屬元胞替代 PN 結元胞，並對這種勻場耐壓層的新應用進行了探索。本書可供半導體器件相關專業的科研工作者參考

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6.功率半導體器件（簡體書）

作者：關豔霞; 劉斌; 吳美樂; 盧雪梅 出版社：機械工業出版社 出版日：2023/06/23 裝訂：平裝

本書內容包括4部分。第1部分介紹功率半導體器件的分類及發展歷程，主要包括功率半導體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統的功率二極管(肖特基二極管和PiN二極管)的基礎上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內容。第3部分介紹功率開關器件，主要分為傳統開關器件和現代開關器件，傳統開關器件以晶閘管為主，在此基礎上，介紹以GTO晶閘管為主的派生器件；現代功率開關器件以功率MOSFET和IGBT為主。第4部分為功率半導體器件應用綜述，以脈衝寬度調製(PWM)為例說明如何根據器件的額定電壓和電路的開關頻率選擇適合應用的最佳器件。本書適合電子科學、電力電子及電氣傳動、半導體及集成電路等專業技術人員參考，也可作為相關專業本科生及研究生教材。本書配有教學視頻(掃描書中二維碼直接觀看)及電子課件等教學資源，需要配套資源的教師可登錄機械工業出版社教育服務網www.cmpedu.com免費註冊後下載。

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7.半導體器件原理簡明教程(第2版)（簡體書）

作者：傅興華; 丁召; 馬奎 出版社：科學出版社 出版日：2023/03/01 裝訂：平裝

用最簡明準確的語言，最精簡的篇幅，講清楚基本的半導體物理基礎，基本的半導體器件的基本結構和基本工作原理。強調了三個"基本"，即基本理論、基本方法和基本目標的思想。基本理論是指，半導體器件的基本理論基礎是量子力學，以及在量子力學基礎之上建立起來的固體能帶理論。基本方法是指學習和掌握半導體器件原理的基本的定量分析方法。基本目標是指把半導體器件的外特性參數，如電流放大係數、閾值電壓、擊穿電壓等，與構成器件的半導體材料參數和器件的結構參數聯繫起來，從而具備根據外特性參數的要求設計和製造半導體器件。

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8.氧化鎵半導體器件（簡體書）

作者：龍世兵; 葉建東; 呂元傑 出版社：西安電子科技大學出版社 出版日：2022/11/01 裝訂：精裝

本書主要介紹近幾年發展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。本書共分為7章，第1～4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結構，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注入、缺陷修復等內容；第5～7章（氧化鎵器件部分）介紹了氧化鎵二極管器件的應用方向、器件類型及其發展歷程，氧化鎵場效應晶體管的工作原理、性能指標、器件類型、發展歷程以及今後的發展方向，氧化鎵日盲深紫外光電探測器的工作原理、器件類型、成像技術等。本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高等院校的教師、研究生、高年級本科生的參考書和工具書，也可作為其他對氧化鎵寬禁帶半導體器件感興趣的研究人員的參考資料。

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9.半導體器件物理(第三版)（簡體書）

作者：孟慶巨 出版社：科學出版社 出版日：2022/10/01 裝訂：平裝

《半導體器件物理(第三版)》是普通高等教育“十一五”國家*規劃教材。《半導體器件物理(第三版)》介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術。內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬-半導體結、結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、電荷轉移器件、半導體太陽電池和光電二極管、發光二極管和半導體激光器等。

定價：474 元，優惠價：87 412

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10.半導體器件電離輻射總劑量效應（簡體書）

作者：陳偉; 何寶平; 姚志斌; 馬武英 出版社：科學出版社 出版日：2022/10/01 裝訂：平裝

輻射在半導體器件中電離產生電子-空穴對，長時間輻射劑量累積引起半導體器件電離輻射總劑量效應。電離輻射總劑量效應是輻射效應中最常見的一種，可以導致器件性能退化，閾值電壓漂移、遷移率下降、動態和靜態電流增加，甚至功能失效，在輻射環境中工作的半導體器件和電子系統必須考慮的總劑量效應問題。本書主要介紹電離輻射環境與效應、體矽CMOS工藝器件和SOI工藝器件電離總劑量效應、雙極工藝器件低劑量率輻射損傷增強效應、總劑量效應數值模擬和試驗方法、總劑量效應預估模型與方法、納米器件總劑量效應與可靠性、系統級總劑量效應模擬試驗方法等內容。

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11.碳化矽半導體技術與應用(原書第2版)（簡體書）

作者：(日)松波弘之; (日)大谷昇; (日)木本恆暢等 出版社：機械工業出版社 出版日：2022/07/01 裝訂：平裝

本書講述了以日本碳化矽學術界元老京都大學名譽教授松波弘之、京都大學實力派教授木本恒暢、關西學院大學知名教授大谷昇和企業實力代表羅姆公司的中村孝先生為各技術領域的牽頭，集日本半導體全產業鏈的產學研各界中的骨幹代表，在各自的研究領域結合各自多年的實際經驗，撰寫了這本囊括SiC全產業鏈的技術焦點、以技術為主導、以應用為目的的實用型專業指導書。書中從理論面到技術面層次分明、清晰易懂地展開觀點論述，內容覆蓋碳化矽材料和器件從製造到應用的全產業鏈，不僅表述了碳化矽各環節的科學原理，還介紹了各種相關的工藝技術。

定價：1008 元，優惠價：87 877

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12.垂直型GaN和SiC功率器件（簡體書）

作者：(日)望月和浩 出版社：機械工業出版社 出版日：2022/07/01 裝訂：平裝

本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關技術，內容涵蓋垂直型和橫向功率半導體器件的比較，GaN和SiC的物理性質、外延生長、製備工藝，主要器件結構與特性，以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。

定價：594 元，優惠價：87 517

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13.半導體器件物理學習與考研指導（簡體書）

作者：孟慶巨; 孫彥峰 出版社：科學出版社 出版日：2022/07/01 裝訂：平裝

本書是普通高等教育“十一五”國家級規劃教材《半導體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學輔導資料。全書共分為11章，內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬一半導體結、結型場效應晶體管和金屬一半導體場效應晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、電荷轉移器件、半導體太陽電池和光電二極管、發光二極管和半導體激光器。書末還給出了近幾年吉林大學“微電子學與固體電子學”國家重點學科研究生入學考試試題及參考答案。本書可供電子科學與技術、微電子學、光電子技術等專業師生在半導體器件物理課程的教學中使用，也可供有關工程技術人員和科研工作者參考。

定價：354 元，優惠價：1 354

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14.氮化鎵功率器件：材料、應用及可靠性（簡體書）

作者：(義)馬特奧‧梅內吉尼; 高登齊‧蒙哥赫索; 恩里科‧紮諾尼 出版社：機械工業出版社 出版日：2022/02/28 裝訂：平裝

本書重點討論了與氮化鎵(GaN)器件相關的內容，共分15章，每一章都圍繞不同的主題進行論述，涵蓋GaN材料、與CMOS工藝兼容的GaN工藝、不同的GaN器件設計、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表徵以及GaN器件的應用。本書的特點是每一章都由全球不同的從事GaN研究機構的專家撰寫，引用了大量的代表新成果的文獻，適合於從事GaN技術研究的科研人員、企業研發人員，以及工程師閱讀，也可作為微電子及相關專業的高年級本科生、研究生和教師的參考用書。

定價：750 元，優惠價：87 653

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15.低維量子器件物理（簡體書）

作者：彭英才; 趙新為; 傅廣生 出版社：科學出版社 出版日：2022/02/16 裝訂：精裝

低維量子器件是微納電子技術研究的核心，低維量子器件物理是現代半導體器件物理的一個重組成部分。它的主要研究對象是低維量子器件的設計制作，器件性能與載流子輸運動力學等內容。《低維量子器件物理》主要以異質結雙極晶體管、高電子遷移率晶體管、共振隧穿電子器件、單電子器件、量子結構激光器、量子結構紅外探測器和量子結構太陽電池為主，比較系統地分析與討論了它們的工作原理與器件特性，并對自旋電子器件、單分子器件和量

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16.半導體器件物理(第二版)（簡體書）

作者：孟慶巨 出版社：科學出版社 出版日：2021/12/28 裝訂：平裝

孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著的《半導體器件物理》是普通高等教育“十一五”國家級規劃教材。本書介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術。全書內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型電晶體、金屬-半導體結、結型場效應電晶體和金屬-半導體場效應電晶體、金屬-氧化物-半導體場效應電晶體、電荷轉移器件、半導體太陽電池及光電二極體、發光

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17.半導體器件原理簡明教程（簡體書）

作者：傅興華 出版社：科學出版社 出版日：2021/12/28 裝訂：平裝

《半導體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準確的語言，介紹典型半導體器件的核心知識，主要包括半導體物理基礎、pn結、雙極型晶體管、場效應晶體管、金屬-半導體接觸和異質結、半導體光電子器件。《半導體器件原理簡明教程》在闡明基本結構和工作原理的基礎上，還介紹了微電子領域的一些新技術，如應變異質結、能帶工程、量子阱激光器等。《半導體器件原理簡明教程》可作為高等院校電子信息與電氣學科相關專業半導體器件原理課

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18.電力電子裝置建模分析與示例設計（簡體書）

作者：李維波 出版社：機械工業出版社 出版日：2021/10/01 裝訂：平裝

本書把典型電力電子裝置的數量關係與仿真模型的構建方法整合起來，涵蓋了整流裝置、逆變裝置和直流斬波裝置的建模分析與示例設計。並以一個剛剛從事研發的工程師視角出發，進行原理分析、參數計算、建模設計，在素材遴選、內容編排方面，避免晦澀，凸顯易懂。本書將涉及的Simulink基礎知識、常規建模方法與基本流程知識，融入到典型電力電子裝置的建模中去，既闡釋了功率器件的選型方法、分析步驟和參數計算理論等，又結合工程實踐，根據入門基礎、經驗技巧、設計案例和心得體會等不同層面，進行歸類、凝練和拓展。本書力求做到理論與實踐相結合，既有理論設計、分析與計算（含仿真驗證），又有實踐與實戰的拔高。本書適合剛從事電力電子裝置研發的工程師及相關專業的研究生和本科生閱讀。

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19.碳化矽功率器件：特性、測試和應用技術（簡體書）

作者：高遠; 陳橋樑 出版社：機械工業出版社 出版日：2021/07/20 裝訂：平裝

本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應用技術，概括了近年學術界和工業界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導體器件基礎，SiC MOSFET參數的解讀、測試及應用，雙脈衝測試技術，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應對——關斷電壓過衝，高dv/dt的影響與應對——crosstalk，高dv/dt的影響與應對——共模電流，共源極電感的影響與應對，以及驅動電路設計。

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20.寬禁帶半導體電機驅動控制技術（簡體書）

作者：丁曉峰 出版社：科學出版社 出版日：2021/05/01 裝訂：平裝

《寬禁帶半導體電機驅動控制技術》主要介紹基於寬禁帶功率器件的電機驅動控制技術的**研究成果。首先，介紹兩種典型寬禁帶功率器件，即碳化硅和氮化鎵功率器件的內部結構及其外部特性；接著，分析寬禁帶功率器件門極驅動電路的特點和要求，介紹了串擾抑制、過流保護及高溫門極驅動電路；然後，從器件特性出發分析電機驅動器輸出電壓非線性，進而分析基於寬禁帶功率器件的驅動器對電機損耗、動態性能及軸電流的影響；最後，介紹一

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1.碳化矽器件工藝核心技術（簡體書）

2.寬禁帶半導體功率器件：材料、物理、設計及應用（簡體書）

3.高k柵介質材料與器件集成（簡體書）

4.半導體器件物理（簡體書）

5.功率超結器件（簡體書）

6.功率半導體器件（簡體書）

7.半導體器件原理簡明教程(第2版)（簡體書）

8.氧化鎵半導體器件（簡體書）

9.半導體器件物理(第三版)（簡體書）

10.半導體器件電離輻射總劑量效應（簡體書）

11.碳化矽半導體技術與應用(原書第2版)（簡體書）

12.垂直型GaN和SiC功率器件（簡體書）

13.半導體器件物理學習與考研指導（簡體書）

14.氮化鎵功率器件：材料、應用及可靠性（簡體書）

15.低維量子器件物理（簡體書）

16.半導體器件物理(第二版)（簡體書）

17.半導體器件原理簡明教程（簡體書）

18.電力電子裝置建模分析與示例設計（簡體書）

19.碳化矽功率器件：特性、測試和應用技術（簡體書）

20.寬禁帶半導體電機驅動控制技術（簡體書）

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