寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路（簡體書）

本書重點介紹了SiC和GaN寬禁帶半導體高頻開關和微波功率器件與電路的最新進展與實用製備技術。全書共五章：第一章介紹電力電子和固態微波器件的發展及其在雷達領域的應用；第二章介紹SiC和GaN寬禁帶半導體材料，包括SiC和GaN單晶、SiC的同質外延生長、GaN的異質外延生長；第三章介紹SiC高頻功率器件，包括SiC功率二極管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JEET、SiC BJT、SiC IGBT、SiC GTO；第四章介紹GaN微波功率器件與電路，包括GaN HEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N極性GaN HEMT；第五章介紹正在發展中的固態新型器件，包括太赫茲器件、金剛石器件和二維材料器件。

章 緒論
1.1 電力電子器件的發展
1.1.1 Si電力電子器件的發展
1.1.2 寬禁帶電力電子器件的發展
1.1.3 我國電力電子器件的發展
1.2 固態微波器件的發展
1.2.1 Si和GaAs固態微波器件與電路的發展
1.2.2 SiC固態微波器件與電路發展
1.2.3 GaN固態微波器件與電路發展
1.3 固態器件在雷達領域的應用
1.3.1 si、GaAs固態微波器件與固態有源相控陣雷達
1.3.2 SiC、GaN固態微波器件與T／R模塊
1.3.3 siC、GaN高頻開關功率器件與開關功率源／固態脈沖調制源
參考文獻
第2章 寬禁帶半導體材料
2.1 氮化鎵和碳化硅晶體材料
2.1.1 GaN晶體性質和制備
2.1.2 SiC晶體性質和制備
2.2 碳化硅材料的同質外延生長技術
2.2.1 SiC同質外延生長方法
2.2.2 SiC CVD同質外延關鍵技術
2.2.3 SiC外延層缺陷
2.3 氮化物材料的異質外延生長技術
2.3.1 氮化物外延生長基本模式和外延襯底的選擇
2.3.2 用于氮化物異質外延的金屬有機物化學氣相沉積技術
2.3.3 氮化物異質外延生長中的幾個重要問題
2.4 寬禁帶半導體材料的表征方法
2.4.1 X射線衍射測試
2.4.2 原子力顯微鏡測量
2.4.3 光致發光譜測量
2.4.4 傅里葉變換紅外譜厚度測試
2.4.5 汞探針C—V法測量雜質濃度分布
參考文獻
第3章 碳化硅高頻功率器件
3.1 SiC功率二極管
3.1.1 siC肖特基二極管
3.1.2 siC PIN二極管
3.1.3 SiC JBS二極管
3.1.4 siC二極管進展
3.1.5 siC二極管應用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究進展
3.2.3 SiC MESFET應用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 關鍵工藝
3.3.3 SiC MOSFET進展
3.3.4 SiC MOSFET應用
3.4 siC JFET