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商品簡介
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從金屬場發射基本理論與思想著手，引入半導體場發射理論模型及其在納米體系下的場發射理論模型的適用性問題。提出了半導體量子結構增強場發射基本原理與思想，在此基礎上，介紹了以納米多層（量子結構）鋁鎵氮（AlGaN）取向薄膜（極化誘導）作為薄膜冷陰極結構場電子發射增強功能層基本設計方法與物理模型。進一步地，介紹了單層、多層納米半導體薄膜場發射設計與製備方法。接著從實驗與理論兩方面，系統介紹不同的量子結構（晶軸取向、膜厚膜層、組分搭配、摻雜濃度及表面處理等）半導體薄膜的場電子發射特性、場發射耦合增強物理機制及其能譜特性。最後，對納米半導體場發射冷陰極器件的發展與應用進行了展望。
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