共振隧穿器件及其應用（簡體書）

本書是一本全面、系統地講述共振隧穿器件及其應用的著作。全書共10章，第1～3章為共振隧穿二極管的物理基礎、器件模型和模擬以及器件設計、制造與參數測量；第4～6章為各種類型的共振隧穿二極管、晶體管以及共振隧穿型光電器件；第7～9章為共振隧穿器件在模擬電路、數字電路和光電集成中的應用；第10章論述了共振隧穿器件及其應用的發展趨勢。
本書可作為微電子專業本科生或研究生選修課程的教材或主要參考書，也可供從事新型半導體器件、高頻和高速化合物半導體器件、納米量子器件及其集成技術領域研究的科研人員參考。

《半導體科學與技術叢書》出版說明
序
前言
緒論
0.1　共振隧穿器件
0.2　共振隧穿器件的特點
0.3　共振隧穿器件的分類
0.4　共振隧穿器件的應用
參考文獻
第1章　共振隧穿二極管概述和物理基礎
1.1　共振隧穿二極管的概述
1.1.1　RTD的工作原理
1.1.2　RTD的設計
1.1.3　RTD的參數及測試
　1.2　RTD的物理模型
1.2.1　RTD的量子力學基礎
1.2.2　雙勢壘單勢阱結構共振隧穿的兩種物理模型
1.2.3　不同維度下隧穿的特征
　1.3　RTD中電荷積累效應
1.3.1　RTD的電荷積累與負阻區本征雙穩態
1.3.2　簡化的勢阱電荷方程
1.3.3　發射區存在積累層，勢阱有積累電荷和集電區存在耗盡層時的勢阱電荷方程
1.3.4　負阻區本征雙穩態的產生
1.4　強磁場中的共振隧穿效應
1.4.1　不含磁性材料RTD的強磁場共振隧穿效應
1.4.2　勢阱含磁性材料的RTD-自旋選擇磁RTD
1.5　不對稱勢壘和不對稱勢阱結構的共振隧穿效應
1.5.1　不對稱勢壘結構的共振隧穿效應
1.5.2　不對稱勢阱結構的共振隧穿效應
參考文獻
第2章　共振隧穿二極管的器件模型和模擬
　2.1　電路模擬、器件模型和器件模擬
2.2　RTD的直流器件模型
2.2.1　基于物理參數FV方程RTD模型
2.2.2　高斯函數、指數函數RTD直流模型
2.3　利用ATLAS器件模擬軟件進行RTD器件模擬
2.3.1　ATLAS模擬軟件簡介
2.3.2　RTD器件模擬
2.4　利用維格納函數-泊松方程模擬RTD I-V特性
2.4.1　RTD　I-V特性負阻區平臺（plateau-like）結構
2.4.2　數值計算和維格納函數方程一泊松方程
2.4.3　模擬結果對RTD　J-V特性負阻區平臺結構的解釋
2.4.4　用模擬結果分析負阻區平臺結構和滯后特性隨RTD結構參數變化
2.5　RTD交流小信號等效電路模型
2.5.1　簡單的RNC等效電路模型
2.5.2　量子阱電感LQW等效電路模型
2.5.3　集電極耗盡區渡越時間等效電路模型
2.5.4　理論綜合等效電路模型
參考文獻
……
第3章　共振隧穿二極管的設計、制造、測量和可靠性
第4章　帶間共振隧穿二極管和鍺硅/硅共振隧穿二極管
第5章　共振隧穿晶體管
第6章　共振隧穿型光電器件
第7章　共振隧穿器件在微波、毫米波電路中的應用
第8章　共振隧穿器件在高速數字電路中的應用
第9章　RTD光控單-雙穩邏輯轉換單元　
第10章　共振隧穿器件及其集成技術發展趨勢和目前研究熱點　
附錄